本发明公开一种基于悬空石墨烯/氮化硼异质结的真空晶体管及其制备方法、应用，该制备方法包括制备金属电极、刻蚀沟道以及转移六方氮化硼‑石墨烯复合结构三个步骤，直接利用硅基底作为集电极，极大的简化了制备工艺。本发明中设计的真空晶体管器件结构极具创新性，充分利用氮化硼与石墨烯之间的结合力，将石墨烯/氮化硼异质结整体悬浮在沟道上方，有效降低了石墨烯断裂、塌陷、卷曲和褶皱的概率，克服了传统制备悬空石墨烯器件成功率极低的困难，极大提高了悬空石墨烯器件制备的成功率，且制备得到的真空晶体管结构稳定性更强。使用新的转移方法，避免了石墨烯与其它溶液等介质的接触，有效地解决了现有掺杂的问题。