发明公开
- 专利标题: 基于TO形式的功率器件封装结构及封装方法
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申请号: CN202210382983.4申请日: 2022-04-11
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公开(公告)号: CN114743947A公开(公告)日: 2022-07-12
- 发明人: 杨英坤 , 覃峰 , 周坤 , 李俊焘
- 申请人: 中国工程物理研究院电子工程研究所
- 申请人地址: 四川省绵阳市绵山路64号
- 专利权人: 中国工程物理研究院电子工程研究所
- 当前专利权人: 中国工程物理研究院电子工程研究所
- 当前专利权人地址: 四川省绵阳市绵山路64号
- 代理机构: 中国工程物理研究院专利中心
- 代理商 仲万珍
- 主分类号: H01L23/495
- IPC分类号: H01L23/495 ; H01L23/31 ; H01L23/367 ; H01L21/56
摘要:
本发明公开了基于TO形式的功率器件封装结构及封装方法,所述封装结构包括框架、芯片、转接板、互连结构、引脚和塑封体;其中框架与芯片背面焊接连接,转接板与芯片正面焊接互连,互连结构两端分别与转接板上表面和引脚焊接互连,塑封体实现封装结构的灌封固化,本发明公开的封装结构通过改进芯片正面电极引出方式,替代了传统的引线键合工艺,利用简单的结构提高了封装结构的散热稳定性,降低寄生参数,提升了封装性能,且该封装结构无需重新设计制作塑封模具,具有普遍适用性。本发明公开的封装方法优先进行芯片与转接板的互连,在压接测试中保护芯片不被损伤,有利于封装过程的检查,剔除早期失效,确保了封装良品率。
公开/授权文献
- CN114743947B 基于TO形式的功率器件封装结构及封装方法 公开/授权日:2023-09-19
IPC分类: