本发明公开了一种提高MOCVD生长GaAs本征掺杂均匀性的方法，属于半导体材料生长领域，该方法包括：在低Ⅴ/Ⅲ比情况下，用MOCVD生长的本征掺杂GaAs时，会对GaAs形成C掺杂，当外圈C掺杂浓度低于内圈时，通过增大流经MOCVD反应腔内喷淋头的第三进气孔043载气流量，使得外圈的V族源浓度相对内圈降低，从而使得外圈的掺杂浓度相对内圈升高，提高内外圈掺杂均匀性。当外圈C掺杂浓度高于内圈时，通过减小流经MOCVD反应腔内喷淋头的第三进气孔043的载气流量，使得外圈的V族源浓度相对内圈升高，从而使得外圈的掺杂浓度相对内圈降低，提高内外圈掺杂均匀性，通过本发明提供方法，可以解决MOCVD生长GaAs本征掺杂的内外圈掺杂不均匀问题，提升片内该膜层的掺杂均匀性。