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公开(公告)号：CN115189232B
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN202210795187.3
申请日：2022-07-07
申请人： 西安唐晶量子科技有限公司
IPC分类号： H01S5/343
摘要： 本发明公开了一种半导体激光器的外延片、外延片制备方法，以及半导体激光器，通过在缓冲层表面依次交替生长的第一势垒层、势阱层、隔断层、第二势垒层；其中，当生长隔断层时，在势阱层的表面先生长GaAs，由GaAs渐变为Al0.2Ga0.8As层，最后在Al0.2Ga0.8As层的表面生长第二势垒层，实现量子阱有源层与阱垒界面之间超薄渐变隔断层的添加；克服了量子阱有源层与阱垒界面模糊的问题，增大了自由载流子的微分复合效率，以提高外延片的量子效率，进而提高了半导体激光器的发光性能。
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公开(公告)号：CN111370369A
公开(公告)日：2020-07-03
申请号：CN202010201857.5
申请日：2020-03-20
申请人： 西安唐晶量子科技有限公司
摘要： 一种金属衬底发光器件晶圆的分离方法，包括：提供一金属衬底，衬底正面通过金属连接层连接有发光器件阵列，在金属衬底背面形成辅助图形，激光束在衬底背面聚焦，并在辅助图形引导下对衬底背面进行烧蚀，在衬底正面沿着发光阵列的间隙进行劈裂，使得发光器件分离。由于激光在背面切割，正面发光器件受激光影响较小，所以能够降低由激光切割带来的良率损失。
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公开(公告)号：CN116313786A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202111573172.4
申请日：2021-12-21
申请人： 西安唐晶量子科技有限公司
IPC分类号： H01L21/331 , H01L29/205 , H01L29/737
摘要： 本发明涉及一种界面极性偏转的InGaP/GaAs异质结双极型晶体管及其制备方法，方法包括：选取GaAs衬底层；在GaAs衬底层上制备AlGaAs成核层；在AlGaAs成核层上制备n+GaAs集电极欧姆接触层；在n+GaAs集电极欧姆接触层上制备n+InGaP刻蚀阻止层；在n+InGaP刻蚀阻止层上制备n+GaAs集电极过渡层；在n+GaAs集电极过渡层上制备n‑GaAs第一集电区层；在n‑GaAs第一集电区层上制备n‑GaAs第二集电区层；在n‑GaAs第二集电区层上制备p+GaAs基区层；在p+GaAs基区层上制备n‑InGaP发射区层，p+GaAs基区层和n‑InGaP发射区层之间形成n‑InGaP发射区层的Ga/In面与p+GaAs基区层的Ga面接触的InGaP/GaAs异质结；在n‑InGaP发射区层上制备n+GaAs第一帽层；在n+GaAs第一帽层上制备In组分渐变n+InGaAs第二帽层。本发明解决了现有器件的导带能带和价带能带差低，电流增益较小导致的性能降低的问题。
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公开(公告)号：CN115189232A
公开(公告)日：2022-10-14
申请号：CN202210795187.3
申请日：2022-07-07
申请人： 西安唐晶量子科技有限公司
IPC分类号： H01S5/343
摘要： 本发明公开了一种半导体激光器的外延片、外延片制备方法，以及半导体激光器，通过在缓冲层表面依次交替生长的第一势垒层、势阱层、隔断层、第二势垒层；其中，当生长隔断层时，在势阱层的表面先生长GaAs，由GaAs渐变为Al0.2Ga0.8As层，最后在Al0.2Ga0.8As层的表面生长第二势垒层，实现量子阱有源层与阱垒界面之间超薄渐变隔断层的添加；克服了量子阱有源层与阱垒界面模糊的问题，增大了自由载流子的微分复合效率，以提高外延片的量子效率，进而提高了半导体激光器的发光性能。
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公开(公告)号：CN115117733A
公开(公告)日：2022-09-27
申请号：CN202210794135.4
申请日：2022-07-07
申请人： 西安唐晶量子科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种高质量异质隧穿结外延结构及制备方法，包括以下步骤：在MOCVD反应室中，在GaAs衬底表面外延生长一层缓冲层；在缓冲层表面外延生长N型DBR层；在N型DBR层表面依次交替外延生长量子阱、低掺杂P型AlxGa(1‑x)As过渡层、隧穿结、GaAs保护层、低掺杂N型AlxGa(1‑x)As过渡层、量子阱，形成谐振腔；在谐振腔最外层量子阱表面外延生长P型DBR层；在P型DBR层表面生长欧姆接触层。本发明有效的抑制In原子的析出，减少InGaP生长缺陷，保证了隧穿结的生长质量，增大了激光器的功率，同时有效改善了外延片的生长缺陷，保证垂直腔面发射激光器的发光性能。
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公开(公告)号：CN111261762A
公开(公告)日：2020-06-09
申请号：CN202010201845.2
申请日：2020-03-20
申请人： 西安唐晶量子科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种具有电流阻挡层的氮化镓基垂直结构发光二极管，包括：位于底层的导电衬底；位于导电衬底表面第二焊接层；位于第二焊接层表面的第一焊接层；位于第一焊接层表面的扩散阻挡层；位于扩散阻挡层表面的镍银反射层；位于扩散阻挡层表面的Al层；位于镍银反射层和Al层表面的氮化镓基发光外延层；位于发光外延层表面的n电极，Al金属层位于n电极下方的投影区，Al金属层作为电流阻挡层改变电流注入，提高发光效率。
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公开(公告)号：CN114859200B
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN202210480332.9
申请日：2022-04-28
申请人： 西安唐晶量子科技有限公司
IPC分类号： G01R31/26
摘要： 本发明公开了一种评估InGaP/GaAs HBT外延片基极层材料特性的方法，该方法包括：提供一InGaP/GaAs HBT外延片，外延片包括了砷化镓衬底，砷化镓衬底上表面的n型子集电层，n型子集电层表面生长的n型集电层，n型集电层表面生长的p型GaAs基极层，p型GaAs基极层表面生长的n型发射极InGaP层，n型发射极InGaP层表面生长的发射极帽层，将该结构的HBT外延片切片为接近正方形的样品，去掉发射极帽层，并湿法腐蚀至基极层，在基极层表面4个角处形成欧姆接触点，利用霍尔测试仪可评价其载流子浓度，方块电阻及迁移率等信息，本方法对极层材料特性的评估快速且有效。
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公开(公告)号：CN114753002B
公开(公告)日：2024-01-19
申请号：CN202210460401.X
申请日：2022-04-28
申请人： 西安唐晶量子科技有限公司
IPC分类号： C30B25/16 , C30B25/08 , C30B25/12 , C30B25/14 , C30B29/42 , C23C16/455 , C23C16/458
摘要： 本发明公开了一种提高MOCVD生长GaAs本征掺杂均匀性的方法，属于半导体材料生长领域，该方法包括：在低Ⅴ/Ⅲ比情况下，用MOCVD生长的本征掺杂GaAs时，会对GaAs形成C掺杂，当外圈C掺杂浓度低于内圈时，通过增大流经MOCVD反应腔内喷淋头的第三进气孔043载气流量，使得外圈的V族源浓度相对内圈降低，从而使得外圈的掺杂浓度相对内圈升高，提高内外圈掺杂均匀性。当外圈C掺杂浓度高于内圈时，通过减小流经MOCVD反应腔内喷淋头的第三进气孔043的载气流量，使得外圈的V族源浓度相对内圈升高，从而使得外圈的掺杂浓度相对内圈降低，提高内外圈掺杂均匀性，通过本发明提供方法，可以解决MOCVD生长GaAs本征掺杂的内外圈掺杂不均匀问题，提升片内该膜层的掺杂均匀性。
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公开(公告)号：CN115216837A
公开(公告)日：2022-10-21
申请号：CN202210795196.2
申请日：2022-07-07
申请人： 西安唐晶量子科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种改善VCSEL外延片翘曲度的方法及激光器，能够大幅改善外延片翘曲度，降低破片风险，方法包括：1)将GaAs衬底置于MOCVD腔室中，通入AsH3、TMGa和Si2H6，生长GaAs缓冲层；2)通入TMAl，生长Al组分高低交错的Al0.1Ga0.9As/Al0.9Ga0.1AsDBR层，并同时通入PH3，获得N型DBR层；3)切断PH3，通入TMIn，生长AlGaAs/InGaAs量子阱层；4)通入CBr4，生长P型Al0.1Ga0.9As/Al0.9Ga0.1AsDBR层。在N型AlGaAsDBR中引入元素P，大幅降低了材料应力，改善了外延片的翘曲。
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公开(公告)号：CN110484896A
公开(公告)日：2019-11-22
申请号：CN201910836752.4
申请日：2019-09-05
申请人： 西安唐晶量子科技有限公司
IPC分类号： C23C16/455 , C23C16/52 , H01S5/183
摘要： 本发明公开了一种提高MOCVD生长VCSEL外延膜厚均匀性的方法，属于半导体材料生长领域，该方法包括：在Ⅴ/Ⅲ比非常高的情况下，当MOCVD生长的VCSEL外圈膜厚大于内圈膜厚时，通过增大流经MOCVD反应腔内喷淋头的进气孔043载气流量，使得内圈的Ⅲ族源浓度提高，从而提高内圈生长速率。当内圈膜厚大于外圈膜厚时，通过减小流经MOCVD反应腔内喷淋头的进气孔043的载气流量，使得外圈的Ⅲ族源浓度提高，从而提高外圈生长速率，通过本发明提供方法，可以解决外延片内外圈膜厚不均匀问题，提升外延片良率。
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