发明授权
- 专利标题: 半导体装置
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申请号: CN201980102690.2申请日: 2019-12-05
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公开(公告)号: CN114762113B公开(公告)日: 2024-11-01
- 发明人: 冈本淳 , 武野纮宜 , 王文桢
- 申请人: 株式会社索思未来
- 申请人地址: 日本神奈川县
- 专利权人: 株式会社索思未来
- 当前专利权人: 株式会社索思未来
- 当前专利权人地址: 日本神奈川县
- 代理机构: 北京集佳知识产权代理有限公司
- 代理商 王海奇
- 国际申请: PCT/JP2019/047688 2019.12.05
- 国际公布: WO2021/111604 JA 2021.06.10
- 进入国家日期: 2022-06-01
- 主分类号: H01L27/04
- IPC分类号: H01L27/04
摘要:
半导体装置包括第1芯片以及第2布线层,第1芯片具有基板、形成在所述基板的第1面上的第1布线层,第2布线层形成在所述基板的所述第1面的相反侧的第2面上。所述第2布线层具有提供第1电源电位的第1电源线、提供第2电源电位的第2电源线、提供第3电源电位的第3电源线、连接于所述第1电源线与所述第2电源线之间的第1开关、设置在所述第1电源线或所述第3电源线的一方上的第2开关。所述第1芯片具有被设置在所述第1电源线与所述第3电源线之间的第1电路。
公开/授权文献
- CN114762113A 半导体装置 公开/授权日:2022-07-15
IPC分类: