Invention Publication
- Patent Title: 缓冲焊垫及其制造方法和芯片及其制造方法
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Application No.: CN202210706456.4Application Date: 2022-06-21
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Publication No.: CN114783975APublication Date: 2022-07-22
- Inventor: 张贺丰 , 林杰 , 杜君 , 王文赫
- Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京智芯半导体科技有限公司
- Applicant Address: 北京市海淀区西小口路66号中关村东升科技园A区3号楼;
- Assignee: 北京智芯微电子科技有限公司,北京智芯半导体科技有限公司
- Current Assignee: 北京智芯微电子科技有限公司,北京智芯半导体科技有限公司
- Current Assignee Address: 北京市海淀区西小口路66号中关村东升科技园A区3号楼;
- Agency: 北京清亦华知识产权代理事务所
- Agent 赵静
- Main IPC: H01L23/488
- IPC: H01L23/488 ; H01L23/485 ; H01L21/60

Abstract:
本发明公开了一种缓冲焊垫及其制造方法和芯片及其制造方法。该缓冲焊垫用于芯片,缓冲焊垫包括:第一绝缘层、第二绝缘层、第一导电层和第二导电层,第二绝缘层设于第一绝缘层的上方,第二绝缘层设有沿厚度方向贯通的焊垫开孔,第一导电层设于第一绝缘层和第二绝缘层之间,且第一导电层在焊垫开孔正下方的位置处设置有至少一个缓冲孔,第二导电层至少部分设于焊垫开孔内,且第二导电层与第一导电层导通。根据本发明实施例的缓冲焊垫,第一导电层在焊垫开孔正下方的位置处设置有至少一个缓冲孔,以在缓冲焊垫与金属线采用绑定连接时,缓冲绑定时产生的压力,降低缓冲焊垫失效的风险,从而有利于提升缓冲焊垫的可靠性。
Public/Granted literature
- CN114783975B 缓冲焊垫及其制造方法和芯片及其制造方法 Public/Granted day:2022-09-23
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IPC分类: