Invention Grant
- Patent Title: 基于模式切换控制的微逆变器磁元件参数优化设计方法
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Application No.: CN202210589560.XApplication Date: 2022-05-26
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Publication No.: CN114785180BPublication Date: 2023-06-02
- Inventor: 杨骐箐 , 李睿 , 冯洋洋
- Applicant: 上海交通大学
- Applicant Address: 上海市闵行区东川路800号
- Assignee: 上海交通大学
- Current Assignee: 上海交通大学
- Current Assignee Address: 上海市闵行区东川路800号
- Agency: 上海恒慧知识产权代理事务所
- Agent 刘翠
- Main IPC: H02M7/5387
- IPC: H02M7/5387 ; H02M5/10 ; H02M7/219 ; H02M3/335

Abstract:
本发明提供了一种基于模式切换控制的微逆变器磁元件参数优化设计方法,基于工频周期内微逆变器在多种调制模式之间切换的特点,对微逆变器中高频变压器的匝比n和漏感Lk这两个相互耦合的变量进行混合优化设计,在满足功率传输约束的同时,还使得相同传输功率条件下变换器导通损耗达到最小。通过该优化设计方法,可以使得满载情况下的微逆变器导通损耗最小化;通过综合考虑不同功率点处的导通损耗,还可以使得微逆变器的欧洲加权效率最大化;通过综合考虑高频变压器匝比和漏感这两个设计变量对传输功率和微逆变器效率的影响,使得设计出的参数更具有实用性。
Public/Granted literature
- CN114785180A 基于模式切换控制的微逆变器磁元件参数优化设计方法 Public/Granted day:2022-07-22
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IPC分类: