本发明提供一种超级结器件的制造方法、超级结器件、芯片和电路，属于半导体技术领域，制造方法包括：提供具有外延层的衬底；在外延层的上表面定义刻蚀区域；根据刻蚀区域，利用刻蚀工艺在外延层内形成具有第一深度的刻蚀沟槽；对刻蚀沟槽的底部进行离子注入形成掺杂区，掺杂区具有第二导电类型且掺杂区的第二深度与第一深度之和等于目标深度；在刻蚀沟槽进行外延填充以形成填充区，填充区与掺杂区形成的纵向掺杂区与相邻的外延层区域构成超级结；形成栅极和体区，体区位于纵向掺杂区的顶部，栅极位于外延层的上表面并覆盖部分体区。通过本发明提供的方法，提高沟槽刻蚀深度的均一性，减小沟槽深宽比，改善外延填充空洞。