发明授权
- 专利标题: 一种宽带高隔离度双极化超表面天线
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申请号: CN202210494151.1申请日: 2022-05-05
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公开(公告)号: CN114824774B公开(公告)日: 2023-03-24
- 发明人: 刘思豪 , 孟敏 , 陈涌频 , 胡俊 , 陶婷婷 , 郭俊雷 , 吴磊 , 杨德强
- 申请人: 电子科技大学
- 申请人地址: 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号
- 专利权人: 电子科技大学
- 当前专利权人: 电子科技大学
- 当前专利权人地址: 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号
- 代理机构: 电子科技大学专利中心
- 代理商 甘茂
- 主分类号: H01Q1/38
- IPC分类号: H01Q1/38 ; H01Q1/50 ; H01Q1/52 ; H01Q5/307 ; H01Q13/10 ; H01Q15/00
摘要:
本发明属于无线信号传输技术应用领域,具体提供一种宽带高隔离度双极化超表面天线,用以解决传统微带天线带宽窄的问题;本发明对超表面辐射结构中的矩形贴片A、矩形贴片B、矩形贴片C及矩形贴片D分别进行开缝调节,使水平极化的主模式与高次模式的最强电流位置都处于矩形贴片D上、进而匹配矩形贴片D下方的微带缝隙耦合馈电结构实现水平极化辐射;使垂直极化的主模式与高次模式的最强电流位置都处于矩形贴片A上、进而匹配矩形贴片A下方的微带缝隙耦合馈电结构实现垂直极化辐射,大大简化了馈电结构设计复杂度,同时有效提高天线的隔离度;并且,引入的地板缝隙模式进一步扩宽天线带宽;最终实现宽带高隔离度双极化超表面天线的设计。
公开/授权文献
- CN114824774A 一种宽带高隔离度双极化超表面天线 公开/授权日:2022-07-29