Invention Publication
CN114836738A 一种电容器薄膜分级处理装置及方法
无效 - 驳回
- Patent Title: 一种电容器薄膜分级处理装置及方法
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Application No.: CN202210492843.2Application Date: 2022-05-07
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Publication No.: CN114836738APublication Date: 2022-08-02
- Inventor: 邵涛 , 孔飞 , 张传升 , 章程 , 任成燕
- Applicant: 中国科学院电工研究所
- Applicant Address: 北京市海淀区中关村北二条6号
- Assignee: 中国科学院电工研究所
- Current Assignee: 中国科学院电工研究所
- Current Assignee Address: 北京市海淀区中关村北二条6号
- Agency: 北京科迪生专利代理有限责任公司
- Agent 江亚平
- Main IPC: C23C16/54
- IPC: C23C16/54 ; C23C16/02 ; C23C16/455 ; C23C16/40 ; C23C16/34 ; C23C14/20 ; C23C14/24 ; C23C14/56 ; C23C28/00

Abstract:
本发明公开一种电容器薄膜分级处理装置及方法,在薄膜金属化之前引入预处理单元和功能层沉积单元,形成分级、连续的成套处理装置,对薄膜进行处理。预处理单元通过放电等离子体表面处理,调控薄膜表面粗糙度,提高薄膜基底附着力。功能层沉积单元通过原子层沉积技术,在薄膜基底上沉积纳米功能层,抑制金属层对薄膜材料的电荷注入,提高金属化薄膜的击穿场强阈值,改善金属化薄膜的隔离自愈性能。本发明将等离子体技术和原子层沉积技术相结合,在薄膜表面快速沉积稳定功能涂层,大幅改善电容器薄膜电气性能。相比于现有的技术,本发明提出的分级连续处理方法,具备成本低廉、装置简便、灵活高效等优点,适合投入大规模工业生产应用。
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