本发明提出了一种无定位边的SiC衬底加工方法，包括：对SiC晶体的外圆进行定向；晶体切割；切割取片：将切割片从切割底座中烤片，取出并标记切割片的头片或尾片的碳硅面，并将切割片清洗以去除表面残留的切削液；头、尾片定向：对SiC晶体的头、尾切割片进行定向，验证标记的切割片头片或尾片的[1‑100]、[11‑20]方向；非头尾片定向：将非头尾片与头片和/或尾片重叠放置，使其刀痕重合，然后沿晶片的偏轴方向进行定向，确定晶片的偏轴方向和极性面；碳/硅面标、晶向标记；将标记后的晶片进行后续工艺处理，得到无定位边的SiC衬底。本发明中制备的无定位边SiC衬底作为籽晶或基板生长SiC晶体或外延片时，能够有效降低晶体中微管、应力等缺陷，大幅度提高材料的质量。