发明公开
- 专利标题： 一种类分子束外延设备及薄膜制备方法
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申请号： CN202210423243.0申请日： 2022-04-21
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公开(公告)号： CN114855270A公开(公告)日： 2022-08-05
- 发明人: 全知觉 , 何丽华 , 曹盛 , 佟金山 , 汤绘华 , 王立
- 申请人： 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司
- 申请人地址： 江西省南昌市红谷滩新区学府大道999号;
- 专利权人： 南昌大学,南昌硅基半导体科技有限公司
- 当前专利权人： 南昌大学,南昌硅基半导体科技有限公司
- 当前专利权人地址： 江西省南昌市红谷滩新区学府大道999号;
- 代理机构： 南昌金轩知识产权代理有限公司
- 代理商 潘津
- 主分类号： C30B25/12
- IPC分类号： C30B25/12 ; C30B25/16 ; C30B25/18 ; C30B29/40 ; C23C14/02 ; C23C14/18 ; C23C14/32 ; C23C14/50 ; C23C14/54 ; C23C14/58
摘要：
本发明为一种类分子束外延设备，包括：反应腔体、束源炉、加热装置、气体离化装置、样品台装置、真空系统；其中，气体离化装置为电容耦合等离子源；气体离化装置包括上极板和下极板，其中一极板与外部射频源连接，另一极板接地；束源炉具有金属蒸发区；上极板和下极板之间具有等离子体产生区；金属蒸发区与等离子体产生区在空间上相分离。
公开/授权文献
- CN114855270B 一种类分子束外延设备及薄膜制备方法 公开/授权日：2023-07-28
IPC分类:
