本发明公开了一种新型浮结碳化硅功率器件的SM‑JTE终端结构及其制备方法，该方法包括：提供一N+衬底；在N+衬底的一侧表面制作至少一层外延结构；外延结构包括：第一N‑外延层、以及在第一N‑外延层远离N+衬底的一侧表面进行离子注入后形成的浮结p区和JTE区；在至少一层外延结构远离N+衬底的一侧表面生长第二N‑外延层，并制作表面终端；在第二N‑外延层远离衬底的一侧表面生长氧化层；在第二N‑外延层远离衬底的一侧表面制作第一电极，并在N+衬底远离外延结构的一侧表面制作第二电极，第一电极与氧化层相触。本发明将JTE区分割为多个SMJTE结构，能够将JTE区的单点的电场峰值分散至这些SMJTE结构，从而在降低电场峰值的同时，使功率器件具有更强的抗剂量偏移特性。