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公开(公告)号：CN114883386A
公开(公告)日：2022-08-09
申请号：CN202210327014.9
申请日：2022-03-30
申请人： 西安电子科技大学
摘要： 本发明公开了一种新型浮结碳化硅功率器件的D‑JTE终端结构及其制备方法，该方法包括：提供N+衬底；在N+衬底表面制作至少一层外延结构；外延结构包括：第一N‑外延层、以及在第一N‑外延层表面进行离子注入后形成的浮结p区和JTE；其中，浮结p区位于有源区，JTE位于终端区，JTE包括第一JTE区和第二JTE区；在外延结构表面生长第二N‑外延层，并在第二N‑外延层内制作表面终端；在第二N‑外延层表面生长氧化层；在第二N‑外延层表面制作第一电极，并在N+衬底远离外延结构的一侧表面制作第二电极，第一电极与氧化层相触。由于本发明引入双区JTE结构，在剂量存在偏差时，可以使整个终端结构的电场分布更加平均，具有更好的抗剂量偏移特性，从而提升离子注入剂量窗口。
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公开(公告)号：CN114883387A
公开(公告)日：2022-08-09
申请号：CN202210327018.7
申请日：2022-03-30
申请人： 西安电子科技大学
摘要： 本发明公开了一种新型浮结碳化硅功率器件的SM‑JTE终端结构及其制备方法，该方法包括：提供一N+衬底；在N+衬底的一侧表面制作至少一层外延结构；外延结构包括：第一N‑外延层、以及在第一N‑外延层远离N+衬底的一侧表面进行离子注入后形成的浮结p区和JTE区；在至少一层外延结构远离N+衬底的一侧表面生长第二N‑外延层，并制作表面终端；在第二N‑外延层远离衬底的一侧表面生长氧化层；在第二N‑外延层远离衬底的一侧表面制作第一电极，并在N+衬底远离外延结构的一侧表面制作第二电极，第一电极与氧化层相触。本发明将JTE区分割为多个SMJTE结构，能够将JTE区的单点的电场峰值分散至这些SMJTE结构，从而在降低电场峰值的同时，使功率器件具有更强的抗剂量偏移特性。
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公开(公告)号：CN114883385A
公开(公告)日：2022-08-09
申请号：CN202210325719.7
申请日：2022-03-30
申请人： 西安电子科技大学
IPC分类号： H01L29/06 , H01L29/10 , H01L29/739 , H01L29/78
摘要： 本发明公开了一种三维方形元胞结构，包括：第一导电类型外延区，位于第一导电类型外延区内的第二导电类型阱区，位于第二导电类型阱区内的回形第一导电类型源区，以及位于回形第一导电类型源区内的第二导电类型体区；其中，第二导电类型体区为凸起状；沿水平和垂直方向，第一导电类型外延区、第二导电类型阱区和回形第一导电类型源区上均设有宽度和高度相同的若干凸起，以分别在水平和垂直方向形成若干凸起台面，同时在方形元胞结构上形成相交于第二导电类型体区的十字型台面结构。该结构使得器件同时拥有了平行于元胞表面和垂直于元胞表面的两种沟道，从而提升了沟道密度，降低了沟道的导通电阻，提升了器件的通流能力。
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公开(公告)号：CN114883383A
公开(公告)日：2022-08-09
申请号：CN202210325695.5
申请日：2022-03-30
申请人： 西安电子科技大学
摘要： 本发明公开了一种新型浮结碳化硅功率器件的SIMS‑JTE终端结构及其制备方法，该方法包括：提供一N+衬底；在N+衬底的一侧表面制作至少一层外延结构；外延结构包括：第一N‑外延层、浮结p区和JTE；在至少一层外延结构远离N+衬底的一侧表里生长第二N‑外延层，并在第二N‑外延层内制作表面终端；在第二N‑外延层远离衬底的一侧表面生长氧化层；在第二N‑外延层远离衬底的一侧表面制作第一电极，并在N+衬底远离外延结构的一侧表面制作第二电极，第一电极与氧化层相触。由于JTE靠近N+衬底的一侧为阶梯结构，因此JTE电荷量在总体上形成了横向分区梯度递减，能够效地降低JTE的最大峰值电场、并使整体电场分布变得均匀，进而改善功率器件对JTE剂量的敏感性。
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公开(公告)号：CN114883388A
公开(公告)日：2022-08-09
申请号：CN202210327031.2
申请日：2022-03-30
申请人： 西安电子科技大学
IPC分类号： H01L29/06 , H01L29/10 , H01L29/739 , H01L29/78
摘要： 本发明公开了一种三维六角元胞结构，包括：第一导电类型外延区，位于第一导电类型外延区内的第二导电类型阱区，位于第二导电类型阱区内的第一导电类型源区，以及位于第一导电类型源区内的第二导电类型体区；其中，第二导电类型体区为凸起状；且沿六角元胞结构的六个边的垂直方向，第一导电类型外延区、第二导电类型阱区和第一导电类型源区上均设有宽度和高度相同的若干凸起，以分别在每个方向形成若干凸起台面，同时在六角元胞结构上形成相交于第二导电类型体区的六角台面结构。该结构使得器件同时拥有了平行于元胞表面和垂直于元胞表面的两种沟道，从而提升了沟道密度，降低了沟道的导通电阻，提升了器件的通流能力。
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公开(公告)号：CN114883384A
公开(公告)日：2022-08-09
申请号：CN202210325718.2
申请日：2022-03-30
申请人： 西安电子科技大学
IPC分类号： H01L29/06 , H01L29/10 , H01L29/739 , H01L29/78
摘要： 本发明公开了一种三维条形元胞结构，包括：第一导电类型外延区，位于第一导电类型外延区内的第二导电类型阱区，位于第二导电类型阱区内的回形第一导电类型源区，以及位于回形第一导电类型源区内的第二导电类型体区；其中，沿水平方向，第一导电类型外延区、第二导电类型阱区、回形第一导电类型源区以及第二导电类型体区上均设有高度和宽度相同的若干凸起或者凹槽，以在条形元胞结构上形成若干一字型台面结构或者若干一字型凹槽结构。该结构使得器件除了拥有平行于元胞表面的平行沟道外，还拥有垂直于元胞表面的垂直沟道，从而提升了沟道密度，降低了沟道的导通电阻，进而提升了器件的通流能力。
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