发明公开
- 专利标题： 隐形压力传感器及其制作方法
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申请号： CN202110102381.4申请日： 2021-01-26
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公开(公告)号： CN114899304A公开(公告)日： 2022-08-12
- 发明人: 赵宇坤 , 陆书龙 , 张建亚 , 邢志伟
- 申请人： 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
- 申请人地址： 江苏省苏州市苏州工业园区若水路398号
- 专利权人： 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
- 当前专利权人： 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
- 当前专利权人地址： 江苏省苏州市苏州工业园区若水路398号
- 代理机构： 深圳市铭粤知识产权代理有限公司
- 代理商 孙伟峰
- 主分类号： H01L41/113
- IPC分类号： H01L41/113 ; H01L41/18 ; H01L41/22 ; B82Y30/00 ; B82Y40/00
摘要：
本发明公开了一种隐形压力传感器的制作方法，包括：形成具有压电特性的半导体纳米柱阵列，并在半导体纳米柱阵列中填充透明基质；在半导体纳米柱阵列的相对两侧上分别设置透明电极层，使每个半导体纳米柱分别与两个透明电极层电性连接。本发明还公开了一种隐形压力传感器。本发明解决了半导体压电传感器不易赋予透光性的问题。