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公开(公告)号：CN113437198B
公开(公告)日：2023-01-03
申请号：CN202110792197.7
申请日：2021-07-13
摘要： 本发明涉及一种深紫外LED封装方法，包括如下步骤：步骤一：将若干倒装或薄膜倒装芯片按设计放置于黏性薄膜上且芯片电极朝向远离黏性薄膜的方向；步骤二：在黏性薄膜上涂覆一层胶体材料并固化为胶体层，令芯片位于胶体层内；步骤三：刻蚀胶体层直至露出芯片电极；步骤四：剥离黏性薄膜；步骤五：剥离黏性薄膜后在胶体层远离芯片电极的一面沉积一层保护层；步骤六：将芯片与胶体层同步焊接在设置有电路的基板上。在本发明中，可将若干芯片按设计封置胶体层内，可实现深紫外LED的集成封装。芯片与胶体层同步焊接，提高深紫外封装可靠性与气密性，同时胶体层厚度与芯片相同，芯片表面仅沉积一层保护层，紫外光出射经过的介质层距离短，提高光的出射率。
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公开(公告)号：CN113808911A
公开(公告)日：2021-12-17
申请号：CN202010553969.7
申请日：2020-06-17
摘要： 本发明公开了一种大面积柔性透明半导体薄膜及其制法和应用。所述制备方法包括：在衬底上生长形成纳米柱阵列，并使所述纳米柱阵列的顶端生长愈合形成平面，所述纳米柱阵列含有Ⅲ‑Ⅴ族半导体材料；在所述纳米柱阵列表面生长半导体外延结构，所述半导体外延结构包括氮化物层。本发明通过采用纳米柱阵列加快刻蚀以及释放应力，可以更好的避免晶体刻蚀，进而提高所获大面积柔性透明半导体薄膜的晶体质量。
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公开(公告)号：CN110870924A
公开(公告)日：2020-03-10
申请号：CN201811016406.3
申请日：2018-08-31
摘要： 本发明公开一种导电聚合物活性医疗导管的制备方法，包括：将包含导电聚合物、碳纳米管、第一离子液体及水的混合分散液制成导电聚合物/碳纳米管复合电极膜；以承载离子液体聚合物制作空心柱体，并使所述空心柱体热溶胀吸收第二离子液体，获得空心柱状电解质层；将所获空心柱状电解质层置于至少两个导电聚合物/碳纳米管复合电极膜之间形成夹心结构，再对该夹心结构进行热压，形成导电聚合物活性医疗导管。本发明通过在外加低电压作用下，依靠活性离子在电极材料中的可逆脱嵌，实现可逆的驱动响应形变，使导电聚合物活性医疗导管具有主动弯曲和导向功能，且导电聚合物活性医疗导管的制备方法简单，成本较低，在医疗导管材料领域有广阔应用前景。
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公开(公告)号：CN113838977A
公开(公告)日：2021-12-24
申请号：CN202010515509.5
申请日：2020-06-08
摘要： 本发明公开了一种钙钛矿太阳能电池及其制备方法。所述钙钛矿太阳能电池包括沿设定方向依次设置的底电极、空穴传输层、钙钛矿层、富勒烯电子传输层、金属氧化物电极修饰层及顶电极，所述金属氧化物电极修饰层是金属氧化物纳米颗粒经由硅烷偶联剂、具有酰氯基团的化合物两步化学修饰而获得。本发明提供的金属氧化物电极修饰层在富勒烯衍生物的电子传输层上具有良好的成膜性，同时可以有效的阻止钙钛矿电池中的离子迁移问题，获得长时间以及加热条件下的热稳定性，能够提供稳定性更高的钙钛矿太阳能电池。
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公开(公告)号：CN108336642A
公开(公告)日：2018-07-27
申请号：CN201810140969.7
申请日：2018-02-11
CPC分类号： H01S5/0421 , H01S5/32
摘要： 本发明提供了一种新型的、易实现电注入激射的氮化物半导体微腔激光器结构及其制备方法。本发明将采用AlInGaN、ITO、AZO、IGZO、多孔GaN、Ag、Al、ZnO、MgO、Si、SiO2、SiNx、TiO2、ZrO2、AlN、Al2O3、Ta2O5、HfO2、HfSiO4、AlON等材料中的任意一种或两种以上的组合作为微腔激光器的光学限制层，可以在保证强光学限制的前提下，大幅降低激光器的热阻，提升器件性能。本发明提出的新型氮化物半导体微腔激光器结构具有易实现电注入、热阻小和稳定性及可靠性好等优点，可大幅增强氮化物半导体微腔激光器的性能和寿命。
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公开(公告)号：CN113831785A
公开(公告)日：2021-12-24
申请号：CN202010515510.8
申请日：2020-06-08
IPC分类号： C09D11/30 , C09D11/38 , C09D1/00 , C09D7/62 , H01L51/42 , H01L51/44 , H01L51/46 , H01L51/48 , C09C1/04 , C09C1/00 , C09C1/36 , C09C1/40 , C09C3/12 , C09C3/08
摘要： 本发明公开了一种金属氧化物掺杂型钙钛矿薄膜、太阳能电池及制备方法。所述金属氧化物掺杂型钙钛矿薄膜包括钙钛矿材料，以及与所述钙钛矿材料复合的基于化学修饰的金属氧化物材料，所述基于化学修饰的金属氧化物材料是金属氧化物纳米颗粒经由硅烷偶联剂、具有酰氯基团的化合物两步化学修饰而获得。所述钙钛矿太阳能电池包括沿设定方向依次设置的底电极、空穴传输层、金属氧化物掺杂钙钛矿层、富勒烯电子传输层及顶电极，所述金属氧化物掺杂钙钛矿层包括前述金属氧化物掺杂型钙钛矿薄膜。本发明提供的金属氧化物掺杂型钙钛矿薄膜，热稳定性更高，能够提供稳定性更高的钙钛矿太阳能电池。
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公开(公告)号：CN113437198A
公开(公告)日：2021-09-24
申请号：CN202110792197.7
申请日：2021-07-13
摘要： 本发明涉及一种深紫外LED封装方法，包括如下步骤：步骤一：将若干倒装或薄膜倒装芯片按设计放置于黏性薄膜上且芯片电极朝向远离黏性薄膜的方向；步骤二：在黏性薄膜上涂覆一层胶体材料并固化为胶体层，令芯片位于胶体层内；步骤三：刻蚀胶体层直至露出芯片电极；步骤四：剥离黏性薄膜；步骤五：剥离黏性薄膜后在胶体层远离芯片电极的一面沉积一层保护层；步骤六：将芯片与胶体层同步焊接在设置有电路的基板上。在本发明中，可将若干芯片按设计封置胶体层内，可实现深紫外LED的集成封装。芯片与胶体层同步焊接，提高深紫外封装可靠性与气密性，同时胶体层厚度与芯片相同，芯片表面仅沉积一层保护层，紫外光出射经过的介质层距离短，提高光的出射率。
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公开(公告)号：CN113782646A
公开(公告)日：2021-12-10
申请号：CN202010517504.6
申请日：2020-06-09
IPC分类号： H01L33/00 , H01L33/22 , H01L33/42 , H01L31/18 , H01L31/0236 , H01L31/0224 , B82Y40/00 , B82Y10/00
摘要： 本发明公开了一种隐形半导体器件及其制备方法和应用。所述制备方法包括：在外延衬底上依次形成牺牲层、外延层和纳米柱阵列，所述外延层和纳米柱阵列均含有Ⅲ‑Ⅴ族半导体材料；设置至少覆盖所述纳米柱阵列的绝缘材料层，并在所述绝缘材料层上加工出至少一个窗口，使至少部分的纳米柱阵列自所述窗口露出；在所述绝缘材料层的窗口处设置第一电极，使所述第一电极与从所述窗口暴露出的纳米柱阵列电连接，所述第一电极为透明电极，以及在所述绝缘材料层除窗口之外的区域上设置第二电极，从而形成隐形半导体器件。本发明提供的隐形半导体器件的使用寿命长，且该隐形半导体器件具有垂直型的纳米柱阵列，从而有利于释放外延应力，提高晶体质量。
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公开(公告)号：CN108718030B
公开(公告)日：2021-07-06
申请号：CN201810373946.0
申请日：2018-04-24
摘要： 本发明提供一种半导体微腔激光器结构及其制备方法，将在氮化物半导体的氮面制备微腔激光器，(0001)镓面的p型欧姆接触采用整面接触的方式，大幅降低微腔激光器的串联电阻；微腔激光器的热量直接传导到高热导率的热沉中，在氮面制备微腔激光器，采用湿法腐蚀的方法制作微腔激光器的侧壁，可以大幅提升微腔激光器的稳定性，采用AlInGaN、ITO、AZO、IGZO、多孔GaN、Ag、Al、ZnO、MgO、Si、SiO2、SiNx、TiO2、ZrO2、AlN、Al2O3、Ta2O5、HfO2、HfSiO4、AlON材料作为微腔激光器的光学限制层，提供强的光学限制。本发明提出的新型氮化物半导体微腔激光器结构具有电阻小、热阻低、易实现电注入和稳定性及可靠性好等优点，可大幅增强氮化物半导体微腔激光器的性能和寿命。
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公开(公告)号：CN110870937A
公开(公告)日：2020-03-10
申请号：CN201811012693.0
申请日：2018-08-31
IPC分类号： A61M25/08
摘要： 本发明提出了一种介入医疗智能导管驱动组件，包括：固态电解质管；至少一对电极，所述电极贴附于所述固态电解质管外侧；一种介入医疗智能导管，包括：介入医疗智能导管驱动组件；内层导管，与所述介入医疗智能导管驱动组件同轴相接；屏蔽导线层，包覆在所述内存导管的外侧，并与所述介入医疗智能导管驱动组件接触；外层导管，包覆在屏蔽导线层与介入医疗智能导管驱动组件外侧。本发明的介入医疗智能导管，实现电驱介入医疗智能导管精准定向弯曲的效果。其结构简单，操作简便，解决现有介入手术中操作难度大、控制精度差、介入手术时间长等技术难题，实现介入医疗智能导管的精确快捷可控，允许医生远程精准控制介入医疗智能导管执行相应动作，并完成记录操作信息。
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