发明公开
- 专利标题: 用于制造有机发光二极管沉积掩模的方法
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申请号: CN202210426815.0申请日: 2018-08-24
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公开(公告)号: CN114899345A公开(公告)日: 2022-08-12
- 发明人: 白智钦 , 金海植 , 曹荣得 , 李相侑 , 曹守铉 , 孙晓源
- 申请人: LG伊诺特有限公司
- 申请人地址: 韩国首尔
- 专利权人: LG伊诺特有限公司
- 当前专利权人: LG伊诺特有限公司
- 当前专利权人地址: 韩国首尔
- 代理机构: 北京集佳知识产权代理有限公司
- 代理商 黄霖
- 优先权: 10-2017-0114820 20170907 KR 10-2017-0155670 20171121 KR 10-2017-0157644 20171123 KR
- 主分类号: H01L51/56
- IPC分类号: H01L51/56 ; C23C14/04 ; C23F1/02 ; C23F1/04
摘要:
本发明涉及一种用于制造有机发光二极管沉积掩模的方法,该方法包括:准备已经被轧制和退火的具有30μm或更大的厚度的金属板;将金属板蚀刻成具有在15μm至25μm的范围内的厚度;以及在金属板上形成多个通孔,通孔包括多个小表面孔和多个大表面孔,其中,金属板的蚀刻包括:蚀刻经轧制和退火的金属板的一个或两个表面,使得金属板的第一表面或第二表面的在纵向方向上的平均中心线平均表面粗糙度、在侧向方向上的平均中心线平均表面粗糙度和在对角线方向上的平均中心线平均表面粗糙度中的每一者为0.1μm至0.3μm,其中,纵向方向是金属板的轧制方向,侧向方向是垂直于金属板的轧制方向的方向,对角线方向是纵向方向与侧向方向之间的+45度方向或‑45度方向。
IPC分类: