发明公开
CN114910996A 端面耦合器
审中-实审
- 专利标题: 端面耦合器
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申请号: CN202110168933.1申请日: 2021-02-07
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公开(公告)号: CN114910996A公开(公告)日: 2022-08-16
- 发明人: 杨雷静 , 郎需跃 , 忻向军 , 张琦 , 饶岚 , 孙莉萍 , 王宁 , 王拥军 , 田清华 , 田凤
- 申请人: 北京邮电大学
- 申请人地址: 北京市海淀区西土城路10号
- 专利权人: 北京邮电大学
- 当前专利权人: 北京邮电大学
- 当前专利权人地址: 北京市海淀区西土城路10号
- 代理机构: 北京金咨知识产权代理有限公司
- 代理商 秦景芳
- 主分类号: G02B6/12
- IPC分类号: G02B6/12 ; G02B6/122
摘要:
本发明提供一种端面耦合器,包括硅衬底、埋氧层和二氧化硅包层,二氧化硅包层内设有:输入段波导,其包括至少四条条形波导,各条形波导的第一端端面与端面耦合器的第一端端面之间均具有第一距离,各条形波导的几何中心线与垂直于条形波导延伸方向的截面的交点围成正多边形,各条形波导的垂直于其几何中心线的横截面面积沿延伸方向逐渐增大;转换波导,自输入段波导的第二端朝向端面耦合器的第二端延伸,转换波导的端部与各条形波导的第二端均相接;输出段波导,其自转换波导的远离输入段波导的一端朝向与端面耦合器的第二端延伸,且输出段波导的端部与转换波导的端部相接。该端面耦合器对准容差大、耦合损耗小,从而具有较高的耦合效率。
公开/授权文献
- CN114910996B 端面耦合器 公开/授权日:2023-08-25