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公开(公告)号：CN114384632B
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN202210056279.X
申请日：2022-01-18
Applicant: 北京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种基于阵列波导光栅和波导型探测器的模斑转换器，采用包括第一波导和第二波导的双台阶式波导结构，第一波导和第二波导均为反向锥形波导结构，其过渡方式均为抛物线型过渡；第一波导的大端面和第二波导的大端面对齐，第一波导的大端面为阵列波导光栅输出光的入射面，第二波导的小端面为出光面，原本被限制在第一波导芯层中的光耦合到第二波导的芯层中，从而缩小模场，使阵列波导光栅中的模场转换为波导型探测器脊形波导中的模场，实现阵列波导光栅与波导型探测器模场的匹配。本发明采用端面耦合的方式，将光场从侧面耦合进吸收区，减少光场在波导传播过程中的损耗与散射，进而增加了光耦合效率，便于光电探测器的集成应用。
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公开(公告)号：CN114910996A
公开(公告)日：2022-08-16
申请号：CN202110168933.1
申请日：2021-02-07
Applicant: 北京邮电大学
Abstract: 本发明提供一种端面耦合器，包括硅衬底、埋氧层和二氧化硅包层，二氧化硅包层内设有：输入段波导，其包括至少四条条形波导，各条形波导的第一端端面与端面耦合器的第一端端面之间均具有第一距离，各条形波导的几何中心线与垂直于条形波导延伸方向的截面的交点围成正多边形，各条形波导的垂直于其几何中心线的横截面面积沿延伸方向逐渐增大；转换波导，自输入段波导的第二端朝向端面耦合器的第二端延伸，转换波导的端部与各条形波导的第二端均相接；输出段波导，其自转换波导的远离输入段波导的一端朝向与端面耦合器的第二端延伸，且输出段波导的端部与转换波导的端部相接。该端面耦合器对准容差大、耦合损耗小，从而具有较高的耦合效率。
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公开(公告)号：CN115469399B
公开(公告)日：2025-04-22
申请号：CN202111416416.8
申请日：2021-11-25
Applicant: 北京邮电大学
IPC: G02B6/122
Abstract: 本发明提供一种辅助薄层型端面耦合器，包括硅衬底、埋氧层和二氧化硅包层，所述二氧化硅包层内设有：输入段波导，包括条形中心波导以及多个辅助薄层波导，各所述辅助薄层波导在垂直于其延伸方向上的横截面形状均为长条状矩形，且各辅助薄层波导在延伸方向上各横截面的长边尺寸逐渐减小，多个辅助薄层波导的第一端端面的长边围成闭合方形，条形中心波导的第二端端面及各辅助薄层波导的第二端端面均位于端面耦合器的第二端端面内侧，且各辅助薄层波导与条形中心波导之间均间隔有预设距离；输出段波导，输出段波导的第一端与条形中心波导的第二端相接，输出段波导垂直于其延伸方向上的横截面面积沿延伸方向逐渐增大。
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公开(公告)号：CN115472712A
公开(公告)日：2022-12-13
申请号：CN202110775019.3
申请日：2021-07-08
Applicant: 北京邮电大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/0224 , H01L31/08 , H01L31/113
Abstract: 本发明提供了一种端接触的方法、光电晶体管的制备方法及光电晶体管，该端接触的方法包括：将低维材料覆盖至目标衬底；将电子束负胶覆盖在低维材料上；对电子束负胶进行图形化和刻蚀，暴露出欲去除部分的低维材料；利用设定气体等离子体刻蚀掉暴露出的低维材料；通过设定镀膜方式对刻蚀掉的低维材料后的电子束负胶覆盖的剩余部分的低维材料镀膜，形成低维材料与金属端接触结构。通过上述方案，能够在常温下，实现低维材料和金属的端接触；端接触结构可有效减小器件的尺寸；应用于多层低维材料，可有效避免因静电屏蔽导致的下层材料无法与下层材料接触的现象。
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公开(公告)号：CN114675372A
公开(公告)日：2022-06-28
申请号：CN202210362195.9
申请日：2022-04-07
Applicant: 北京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种基于级联波导的双阶梯结构端面耦合器，由第一波导和第二波导级联组成；在第一波导上引入脊波导；脊波导和第一波导的端面平齐，形成耦合器的初始输入端面，初始输入端面与AWG输出波导的尺寸完全匹配；脊波导的长度与第一波导长度相等，脊波导的宽度由初始输入端面向其输出端面逐渐减小，脊波导在第一波导上的投影为等腰梯形；第二波导采用由波导输入端面向波导输出端面三维减缩的正锥型结构，第二波导输入端面与第一波导输出端面的尺寸相匹配，第二波导的输出端面与光电探测器的脊波导尺寸完全匹配，第一波导、第二波导和脊波导呈现双阶梯结构。本发明的耦合器，体积小、损耗低、误差容限高，可以实现不同尺寸的波导的高效耦合。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113917712A
公开(公告)日：2022-01-11
申请号：CN202111210037.3
申请日：2021-10-18
Applicant: 北京邮电大学 , 武汉光迅科技股份有限公司
Abstract: 本发明涉及了一种可以消除铌酸锂热电效应的D型光纤M‑Z电光调制器。该调制器包括以下部分：光纤波导区、耦合区、调制区、消除热电效应区、平板波导区、D型光纤波导区。光经光纤波导区传输，逐渐耦合进入耦合区波导，分成两路经调制区波导后产生相位差，经耦合区干涉实现强度调制，并通过耦合区逐渐耦合进入光纤波导。消除热电效应区包裹于D型光纤波导区与平板波导区的Z面，形成回路，将M‑Z电光调制器工作过程中产生的热电荷对外加电场的影响消除掉，帮助器件散热，并有利于实现阻抗匹配，提高调制器效率，保障器件工作稳定。
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公开(公告)号：CN114675372B
公开(公告)日：2023-12-22
申请号：CN202210362195.9
申请日：2022-04-07
Applicant: 北京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种基于级联波导的双阶梯结构端面耦合器，由第一波导和第二波导级联组成；在第一波导上引入脊波导；脊波导和第一波导的端面平齐，形成耦合器的初始输入端面，初始输入端面与AWG输出波导的尺寸完全匹配；脊波导的长度与第一波导长度相等，脊波导的宽度由初始输入端面向其输出端面逐渐减小，脊波导在第一波导上的投影为等腰梯形；第二波导采用由波导输入端面向波导输出端面三维减缩的正锥型结构，第二波导输入端面与第一波导输出端面的尺寸相匹配，第二波导的输出端面与光电探测器的脊波导尺寸完全匹配，第一波导、第二波导和脊波导呈现双阶梯结构。本发明的耦合器，体积小、损耗低、误差容限高，可以实现不同尺寸的波导的高效耦合。
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公开(公告)号：CN114966966A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202210570365.2
申请日：2022-05-24
Applicant: 北京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种基于辅助波导的非线性锥形耦合器，包括一个耦合器主体和两个辅助波导，耦合器主体由五段宽度变化率不同的锥形波导组成，将该耦合器用于氮化硅单模波导与二氧化硅单模波导耦合，耦合效率可达92.3％，此外在耦合器主体的末端两侧对称地设置两个辅助波导，耦合效率可达96％以上，对准耦合误差容限超过1.3μm，相比于光栅耦合器具有耦合效率高、偏振损耗低、工作带宽大的优点；相比于传统倒锥形耦合器，通过应用非线性结构大大减少了耦合器尺寸，提高了器件的集成度，具有体积小、误差容限高的特点，可以应用在不同尺寸光器件集成中。
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公开(公告)号：CN114397730A
公开(公告)日：2022-04-26
申请号：CN202210093924.5
申请日：2022-01-26
Applicant: 北京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种用于波导耦合的双悬臂倒锥模斑转换结构，由输入波导、多模波导干涉区、两个输出波导以及输出波导后端的抛物线形倒锥结构构成，光波从输入波导进入多模波导干涉区，利用自映像效应使输入光波在输出波导截面上产生多个像，分束后的光波在输出波导中传播，输出波导通过抛物线形倒锥结构的横截面逐渐减小，使几个输出波导的光波扩散至包层中，以便和大尺寸波导耦合。与传统的单倒锥形耦合器相比，本发明采用了双悬臂抛物线形倒锥结构，提升了对准容差，可将较小尺寸波导传输光的小模场转化为大模场，从而高效耦合至较大尺寸波导中，同时抛物线形倒锥结构所在包层悬空，避免了衬底泄露，减小了光信号传输时的损耗。
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公开(公告)号：CN114384632A
公开(公告)日：2022-04-22
申请号：CN202210056279.X
申请日：2022-01-18
Applicant: 北京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种基于阵列波导光栅和波导型探测器的模斑转换器，采用包括第一波导和第二波导的双台阶式波导结构，第一波导和第二波导均为反向锥形波导结构，其过渡方式均为抛物线型过渡；第一波导的大端面和第二波导的大端面对齐，第一波导的大端面为阵列波导光栅输出光的入射面，第二波导的小端面为出光面，原本被限制在第一波导芯层中的光耦合到第二波导的芯层中，从而缩小模场，使阵列波导光栅中的模场转换为波导型探测器脊形波导中的模场，实现阵列波导光栅与波导型探测器模场的匹配。本发明采用端面耦合的方式，将光场从侧面耦合进吸收区，减少光场在波导传播过程中的损耗与散射，进而增加了光耦合效率，便于光电探测器的集成应用。
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