发明公开
- 专利标题: 正极活性物质、二次电池、电子设备
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申请号: CN202080089529.9申请日: 2020-12-15
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公开(公告)号: CN114930579A公开(公告)日: 2022-08-19
- 发明人: 三上真弓 , 斉藤丞 , 落合辉明 , 门马洋平 , 中岛佳美 , 浅田善治 , 种村和幸
- 申请人: 株式会社半导体能源研究所
- 申请人地址: 日本神奈川县
- 专利权人: 株式会社半导体能源研究所
- 当前专利权人: 株式会社半导体能源研究所
- 当前专利权人地址: 日本神奈川县
- 代理机构: 上海专利商标事务所有限公司
- 代理商 刘多益
- 优先权: 2019-238662 20191227 JP 2020-178781 20201026 JP
- 国际申请: PCT/IB2020/061919 2020.12.15
- 国际公布: WO2021/130599 JA 2021.07.01
- 进入国家日期: 2022-06-22
- 主分类号: H01M4/525
- IPC分类号: H01M4/525 ; C01G53/00 ; H01M4/36 ; H01M10/0525
摘要:
本发明的一个方式提供一种即使反复充放电晶体结构也不容易崩塌的正极活性物质。提供一种充放电容量大的正极活性物质。该正极活性物质包含锂、钴、镍、镁及氧,正极活性物质的最表面层的a轴的晶格常数大于内部的a轴的晶格常数,最表面层的c轴的晶格常数大于内部的c轴的晶格常数。优选的是,最表面层的a轴的晶格常数与内部的a轴的晶格常数的变化率大于0且为0.12以下,最表面层的c轴的晶格常数与内部的c轴的晶格常数的变化率大于0且为0.18以下。