- 专利标题: 应用于半桥型氮化镓栅极驱动器的自适应死区控制电路
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申请号: CN202210730665.2申请日: 2022-06-24
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公开(公告)号: CN114938223B公开(公告)日: 2023-10-03
- 发明人: 胡一凡 , 王勇 , 王瑛 , 彭领 , 孔瀛
- 申请人: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
- 申请人地址: 北京市丰台区东高地四营门北路2号;
- 专利权人: 北京时代民芯科技有限公司,北京微电子技术研究所
- 当前专利权人: 北京时代民芯科技有限公司,北京微电子技术研究所
- 当前专利权人地址: 北京市丰台区东高地四营门北路2号;
- 代理机构: 中国航天科技专利中心
- 代理商 孙建玲
- 主分类号: H03K17/687
- IPC分类号: H03K17/687
摘要:
本发明提供了一种应用于半桥型氮化镓栅极驱动器的自适应死区控制电路,包括高侧死区控制电路和低侧死区控制电路;高侧死区控制电路通过检测母线电压和高侧地之间电压降的变化情况产生开启信号,与高侧输入信号进行逻辑处理后出输给高侧驱动模块;低侧死区控制电路通过检测开关节点和低侧地之间电压降的变化情况产生开启信号,与低侧输入信号进行逻辑处理后出输给低侧驱动模块。本发明根据栅极驱动器于不同负载条件下工作,半桥开关节点处电压上升下降的时间不同来调节高侧控制信号在开关节点电压到达母线电位后再升高,低侧控制信号在开关节点电压到达地低侧电位后再升高,进而调节高侧和低侧功率管的开启时间,在实现零电压开启的基础上尽量减小反向导通时间以达到减小反向导通损耗、提升驱动电路效率的目的。
公开/授权文献
- CN114938223A 应用于半桥型氮化镓栅极驱动器的自适应死区控制电路 公开/授权日:2022-08-23
IPC分类: