- 专利标题: 一种不规则放电仿生神经元电路及其放电仿生方法
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申请号: CN202210534314.4申请日: 2022-05-17
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公开(公告)号: CN114970840B公开(公告)日: 2024-08-27
- 发明人: 杨蕊 , 高森 , 张泽琛 , 缪向水
- 申请人: 华中科技大学 , 湖北江城实验室
- 申请人地址: 湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号;
- 专利权人: 华中科技大学,湖北江城实验室
- 当前专利权人: 华中科技大学,湖北江城实验室
- 当前专利权人地址: 湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号;
- 代理机构: 华中科技大学专利中心
- 代理商 胡秋萍
- 主分类号: G06N3/06
- IPC分类号: G06N3/06 ; G11C5/14
摘要:
本发明公开了一种不规则放电仿生神经元电路及其放电仿生方法,属于类脑仿生技术领域;包括:易失性忆阻器M1、电容C1、电阻R1和反馈模块;其中,易失性忆阻器M1的阈值电压和保持电压具有随机性,且易失性忆阻器M1的所有保持电压中存在小于Vmin的保持电压;本发明基于易失性忆阻器M1阈值电压的随机性,使得每输出一个动作电位所需的充电时间不同;与此同时,基于易失性忆阻器M1保持电压的随机性将动作电位信号的静息状态发生时机随机化,并通过反馈模块监控动作电位信号的状态,当动作电位信号处于静息状态后,经过随机的时间延迟后输出反馈信号到仿生神经元电路的输入端,以使动作电位信号脱离静息状态,最终电路实现持续发放不规则的动作电位信号。
公开/授权文献
- CN114970840A 一种不规则放电仿生神经元电路及其放电仿生方法 公开/授权日:2022-08-30