- 专利标题： 表面等离子体光子学电场增强型光电探测器及图像传感器
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申请号： CN202180009429.5申请日： 2021-01-14
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公开(公告)号： CN115004386B公开(公告)日： 2024-08-27
- 发明人: 金勋
- 申请人： 金勋
- 申请人地址： 美国加利福尼亚州
- 专利权人： 金勋
- 当前专利权人： 金勋
- 当前专利权人地址： 美国加利福尼亚州
- 代理机构： 北京德崇智捷知识产权代理有限公司
- 代理商 金星
- 国际申请： PCT/US2021/013480 2021.01.14
- 国际公布： WO2021/146457 EN 2021.07.22
- 进入国家日期： 2022-07-14
- 主分类号： H01L31/08
- IPC分类号： H01L31/08 ; G02B6/122 ; G02B5/00 ; H01L27/146 ; H01L31/0232 ; H01L31/0328
摘要：
本发明涉及一种表面等离子体光子学电场增强型光电探测器，根据一实施例的光电探测器可以吸收表面等离子体激元(Surface plasmon polariton,SPP)而生成光电流，该表面等离子体激元(Surface plasmon polariton,SPP)是表面等离子体(Surface plasmon,SP)与光波(Light wave)的光子(Photon)结合而生成。
公开/授权文献
- CN115004386A 表面等离子体光子学电场增强型光电探测器及图像传感器 公开/授权日：2022-09-02
IPC分类:
