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公开(公告)号：CN115004386B
公开(公告)日：2024-08-27
申请号：CN202180009429.5
申请日：2021-01-14
申请人： 金勋
发明人： 金勋
IPC分类号： H01L31/08 , G02B6/122 , G02B5/00 , H01L27/146 , H01L31/0232 , H01L31/0328
摘要： 本发明涉及一种表面等离子体光子学电场增强型光电探测器，根据一实施例的光电探测器可以吸收表面等离子体激元(Surface plasmon polariton,SPP)而生成光电流，该表面等离子体激元(Surface plasmon polariton,SPP)是表面等离子体(Surface plasmon,SP)与光波(Light wave)的光子(Photon)结合而生成。
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公开(公告)号：CN118064975A
公开(公告)日：2024-05-24
申请号：CN202410111729.X
申请日：2024-01-26
申请人： 太原理工大学
IPC分类号： C30B29/12 , H01L31/0328 , H01L31/0352 , H01L31/18 , C30B29/62 , C30B25/00
摘要： 本发明的目的在于提供一种钙钛矿CsPbCl3/CsPbI3周期性异质结纳米线及其制备方法，属于半导体材料制备技术领域，本发明的CsPbCl3/CsPbI3异质结纳米线在预先处理后的M面蓝宝石衬底上生长，通过对生长条件的精确控制，成功制备的大规模周期性异质结纳米线阵列。本发明适应于制备不同周期间距异质结纳米结构半导体材料的可控制备。
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公开(公告)号：CN117954596A
公开(公告)日：2024-04-30
申请号：CN202410046276.7
申请日：2024-01-12
申请人： 常州大学
IPC分类号： H01M4/36 , H01M4/62 , H01M4/525 , H01M4/505 , H01M10/052 , H01L31/109 , H01L31/0328
摘要： 本发明公开了一种可转变类型的异质结材料的制备方法及其应用，属于半导体技术领域。采用简单溶液局部浸渍法，在基底材料表面复合上CeO2掺杂材料，再经过烧结进一步固化，得到可转变类型的异质结材料。由本发明方法制备的异质结，能使掺杂材料中同一元素不同价态的离子之间更容易进行可逆电荷转移，从而有效提高光电化学性能，且工艺简单，在逻辑电路、光电领域中具有很大的应用前景。
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公开(公告)号：CN111785795B
公开(公告)日：2024-04-19
申请号：CN202010800925.X
申请日：2020-08-11
申请人： 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
IPC分类号： H01L31/0328 , H01L31/108 , H01L31/18 , H01L21/02
摘要： 本发明提供一种ZnMgGaO紫外探测器及其制备方法，其中的方法包括：S1、以有机锌化合物作为锌源，以有机镁化合物作为镁源，有机镓化合物作为镓源，以高纯氧气为氧源，利用金属有机化合物化学气相沉积法在衬底的表面生长ZnMgGaO薄膜；S2、在ZnMgGaO薄膜上使用负胶光刻形成叉指电极掩膜，溅射金属后将叉指电极掩膜去除，形成叉指电极；S3、在叉指电极上按压In粒，得到MSM结构的ZnMgGaO紫外探测器。与现有技术相比，本发明使用金属有机化合物化学气相沉积法制备ZnMgGaO薄膜，通过增加氧气流量、增加氧分压、减少氧缺陷的方式，使得制备的ZnMgGaO薄膜具有结晶质量高、不出现分相、吸收截止边陡峭等特点，进而使包含ZnMgGaO薄膜的紫外探测器具有较低的暗电流和较快的光响应速度。
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公开(公告)号：CN114744061B
公开(公告)日：2024-03-26
申请号：CN202210316539.2
申请日：2022-03-29
申请人： 华南理工大学
IPC分类号： H01L31/0328 , H01L31/107 , H01L31/109 , H01L31/18
摘要： 本发明公开了一种蓝光探测器及其制备方法和应用，该蓝光探测器包括依次层叠设置GaS薄膜层、InGaN薄膜层及衬底，所述InGaN薄膜层上部分覆盖GaS薄膜层；所述InGaN薄膜层上未覆盖GaS薄膜层的区域设有第一电极；所述GaS薄膜层上设有第二电极。所述GaS薄膜层为p型，所述InGaN薄膜层为n型，所述GaS薄膜层与所述InGaN薄膜层之间形成PN结。本发明中的蓝光探测器中，GaS薄膜层表面无悬挂键，InGaN薄膜层与GaS薄膜层之间具有良好的接触界面，可以降低暗电流，提高器件的比探测率，同时提高响应速度。
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公开(公告)号：CN111969075B
公开(公告)日：2024-03-08
申请号：CN202010681105.3
申请日：2020-07-15
申请人： 中国科学院金属研究所
IPC分类号： H01L31/108 , H01L31/0328 , H01L31/036 , H01L31/18 , B82Y15/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00
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公开(公告)号：CN117613120A
公开(公告)日：2024-02-27
申请号：CN202311514753.X
申请日：2023-11-10
申请人： 西安电子科技大学芜湖研究院
IPC分类号： H01L31/0352 , H01L31/0216 , H01L31/109 , H01L31/0304 , H01L31/0328 , H01L31/18
摘要： 本发明公开了一种日盲光电探测器及其制备方法，其中的日盲光电探测器包括：衬底以及依次设置于衬底上的AlN缓冲层和GaN沟道层；AlGaN势垒层，设置于GaN沟道层上，且AlGaN势垒层和GaN沟道层之间形成二维电子气；AlGaN势垒层覆盖GaN沟道层上的阴极位置区域和阳极位置区域，并在阴极位置区域和阳极位置区域之间的区域形成叉指状结构；阴电极和阳电极，分别设置于阴极位置区域和阳极位置区域的AlGaN势垒层上；一维光子晶体层，设置于叉指状结构的AlGaN势垒层上。本发明中的日盲光电探测器，光生电流较高、响应度较高、暗电流较低，且成本较低。
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公开(公告)号：CN116581183B
公开(公告)日：2023-11-28
申请号：CN202310847107.9
申请日：2023-07-12
申请人： 长春理工大学
IPC分类号： H01L31/0352 , H01L31/0224 , H01L31/0328 , H01L31/09 , H01L31/18 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , G01J1/42
摘要： 本发明属于紫外光电探测技术领域，具体涉及一种氧化锡氧化镉超晶格日盲四象限探测器，原点位于探测器中心位置，感光区域位于由x轴和y轴划分的四象限区域呈中心对称分布，且被阻隔沟道隔开，四个光电探测器对应的四组金电极与外部电极相连接。感光区域采用金属金为电极的金属‑半导体‑金属结构叉指电极，金属‑半导体‑金属结构中为制备的氧化锡氧化镉超晶格材料。本发明利用人工设计纳米级结构单元的周期性超晶格结构，完成了材料的尺寸长度小于电子的玻尔半径，实现了电子的量子尺寸效应，一方面实现了电子在紫外波段的能级跃迁方式，另一方面促进了探测器的光电探测效率。
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公开(公告)号：CN115274893B
公开(公告)日：2023-08-04
申请号：CN202210917203.1
申请日：2022-08-01
申请人： 江苏宝浦莱半导体有限公司
发明人： 张帆
IPC分类号： H01L31/0328 , H01L31/0336 , H01L31/18 , C23C14/08 , C23C14/35 , C23C14/48 , C23C14/58
摘要： 本发明公开了一种稀土掺杂硅基薄膜材料及其制备方法，属于光伏材料制备技术领域。所述稀土掺杂硅基薄膜材料的制备包括多晶材料的制备、磁控溅射处理、稀土元素的掺杂三个主要步骤。本发明提供的制备工艺简单，可控性强；制备得到的稀土掺杂硅基薄膜材料光电转化率高，具有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN116190473A
公开(公告)日：2023-05-30
申请号：CN202310213231.X
申请日：2023-03-06
申请人： 湖北大学
IPC分类号： H01L31/0352 , H01L31/032 , H01L31/0328 , H01L31/18
摘要： 本发明提供了一种宽光谱高吸收率光吸收层及其制备方法和应用。本发明的半导体量子点光吸收层、铁电纳米粒子层和铜铟镓硒光吸收层耦合形成光吸收层，在增强光生载流子分离和传输的同时，实现宽光谱吸收，以提高对太阳光的吸收与利用；改变半导体量子点光吸收层的尺寸可对其光学带隙进行调控，从而将半导体量子点光吸收层的吸光范围调节至近红外区域；铁电纳米粒子层在外加电场作用下内部电偶极子会发生定向排列，撤去电场后，铁电材料内部仍然会存在一个退极化电场，该退极化电场可增强光生激子分离。本发明的光吸收层可以实现对不同波长的太阳能进行互补吸收，同时可以增大器件内部的总电场，促进光生载流子的分离和传输，从而实现电池光电转换效率的提升。
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