本发明涉及太阳能电池技术领域，公开一种硼掺杂发射极的制备方法，包括：对n型硅片进行清洗和制绒处理；在硅片正面的绒面制备硼掺杂的非晶硅层；进行退火处理，以在硅片正面依次形成硼掺杂发射极和多晶硅层，再降温并通氧，使多晶硅层正面形成硼硅玻璃层，硅片背面形成二氧化硅层；去除二氧化硅层，抛光使硅片的背面形成平坦形貌；去除硼硅玻璃层和多晶硅层，以使硼掺杂发射极露出，且硼掺杂发射极的正表面的硼掺杂浓度不小于其硼掺杂浓度最大值的95％。该方法将硼掺杂的非晶硅层作为硼掺杂发射极的掺杂源和牺牲层，实现区别于传统制备方法的硼掺杂ECV曲线，进而实现更低表面复合和更优界面金属电极接触，并实现更低的体区复合。