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公开(公告)号：CN115274871B
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN202110486549.6
申请日：2021-04-30
Applicant: 泰州中来光电科技有限公司
IPC: H01L31/0216 , H01L31/02 , H01L31/068 , H01L31/18
Abstract: 本发明涉及一种应用于隧穿型太阳能电池的接触结构，隧穿型太阳能电池包括：硅衬底、电介质层及电极，电介质层的一面与硅衬底相接触；所述电介质层的另一面上设置所述接触结构，所述接触结构包括：多晶硅层和掺杂层；所述掺杂层与多晶硅层相互交替设置在所述电介质层上；所述掺杂层的厚度大于所述多晶硅层的厚度；所述掺杂层一端与所述电介质层相接触，另一端与所述电极相接触；其中，所述掺杂层与所述电介质层相接处的一端的掺杂浓度小于所述掺杂层与所述电极相接触的另一端的掺杂浓度。
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公开(公告)号：CN115036396A
公开(公告)日：2022-09-09
申请号：CN202210824735.0
申请日：2022-07-14
Applicant: 泰州中来光电科技有限公司
IPC: H01L31/18 , H01L21/225 , H01L31/068 , H01L31/0224
Abstract: 本发明涉及太阳能电池技术领域，公开一种硼掺杂发射极的制备方法，包括：对n型硅片进行清洗和制绒处理；在硅片正面的绒面制备硼掺杂的非晶硅层；进行退火处理，以在硅片正面依次形成硼掺杂发射极和多晶硅层，再降温并通氧，使多晶硅层正面形成硼硅玻璃层，硅片背面形成二氧化硅层；去除二氧化硅层，抛光使硅片的背面形成平坦形貌；去除硼硅玻璃层和多晶硅层，以使硼掺杂发射极露出，且硼掺杂发射极的正表面的硼掺杂浓度不小于其硼掺杂浓度最大值的95％。该方法将硼掺杂的非晶硅层作为硼掺杂发射极的掺杂源和牺牲层，实现区别于传统制备方法的硼掺杂ECV曲线，进而实现更低表面复合和更优界面金属电极接触，并实现更低的体区复合。
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公开(公告)号：CN114975691A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202210757239.8
申请日：2022-06-30
Applicant: 泰州中来光电科技有限公司
IPC: H01L31/18 , H01L31/068 , H01L31/0224 , H01L31/048
Abstract: 本发明涉及太阳电池技术领域，公开一种具有选择性发射极的钝化接触太阳电池及其制备方法、组件和系统。该电池的制备方法包括：n型晶硅衬底经去损伤制绒后，在其正面制备硼掺杂发射极、正面隧穿氧化层和正面多晶硅层；对正面多晶硅层经硼扩散掺杂所得的初态轻掺杂多晶硅层的局域进行激光扫描掺杂，使扫描区域形成重掺杂多晶硅层；在重掺杂多晶硅层正面制备覆盖层，使非扫描区域的初态轻掺杂多晶硅层经部分碱刻蚀形成末态轻掺杂多晶硅层；去除覆盖层，并抛光晶硅衬底背面后，制备背面隧穿氧化层和背面磷掺杂多晶硅层；再进行钝化和金属化。该方法既能保证其优越钝化特性，又不会出现明显的寄生光吸收损耗，使接触电阻最优化，避免了晶硅衬底损伤。
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公开(公告)号：CN114520289A
公开(公告)日：2022-05-20
申请号：CN202210134396.3
申请日：2022-02-14
Applicant: 泰州中来光电科技有限公司
IPC: H01L51/48 , H01L51/42 , H01L31/0687
Abstract: 本发明属于太阳能电池技术领域，提供一种硅基钙钛矿叠层太阳能电池的制备方法，其步骤为：对硅基底进行制绒处理，以形成金字塔状的绒面结构；在硅基底的其中一面的绒面结构上制备P+发射极；对硅基底进行刻蚀，以使硅基底的另一面形成平面结构；在硅基底的平面结构上制备N+钝化接触结构；在P+发射极上制备钝化膜；在N+钝化接触结构上制备第一透明导电层；在第一透明导电层上依次制备叠层的电子传输层、钙钛矿层、空穴传输层和第二透明导电层；在第二透明导电层和P+发射极上分别制备向外延伸的第一金属电极和第二金属电极。该制备方法在确保硅基钙钛矿叠层太阳能电池的电池效率的同时，还具有工艺窗口大、工艺简单的优点，更利于产业化。
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公开(公告)号：CN114520288A
公开(公告)日：2022-05-20
申请号：CN202210133852.2
申请日：2022-02-14
Applicant: 泰州中来光电科技有限公司
IPC: H01L51/42 , H01L51/48 , H01L31/0687
Abstract: 本发明属于太阳能电池技术领域，提供一种晶硅钙钛矿叠层太阳电池的制备方法，其步骤为：在n型晶体的硅衬底的前表面制备P+发射极；在硅衬底的背表面依次制备隧穿氧化硅和掺杂多晶硅后，选择性掺杂形成重掺杂区域，即得选择性背表面场；制备第一钝化层和第二钝化层后，制备第一金属电极和第二金属电极，即得晶硅底电池；在透明粘合层的前表面依次制备叠层的电子传输层和钙钛矿吸收层；再采用电化学法制备MoOx空穴传输层；制备第三金属电极和第四金属电极，即得钙钛矿顶电池；用透明粘合层将钙钛矿顶电池叠于晶硅底电池的前表面。该方法能解决现有叠层太阳电池中光生载流子复合损失较多的问题，提高电池的载流子收集能力，进而提升电池效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114335236A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202011052711.5
申请日：2020-09-29
Applicant: 泰州中来光电科技有限公司
IPC: H01L31/18 , H01L31/02 , H01L31/0216 , H01L31/068
Abstract: 本发明涉及一种钝化接触电池及其制备方法和钝化接触结构及其制备装置。该制备方法包括：S1、对硅片进行预处理，以在硅片表面形成介质层；S2、将硅片放入设置有靶材的PVD工艺腔中，并在PVD工艺腔内通入气体，以在介质层上制备掺杂非晶硅层；其中，靶材的个数为n，n≥2，n个靶材中至多存在一个不含掺杂源的靶材，其余靶材均为含掺杂源靶材，每个含掺杂源靶材的掺杂源浓度各不相同；靶材从工艺腔的炉口到炉尾沿着硅片的前进方向依次排放；掺杂非晶硅层为至少包含两层掺杂非晶硅层的复合掺杂非晶硅层，两层掺杂非晶硅层的掺杂浓度不同；S3、对硅片进行退火处理，以激活掺杂非晶硅层，形成多晶硅层；S4、对硅片进行后处理，完成电池片的制备。
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公开(公告)号：CN112701192B
公开(公告)日：2023-09-05
申请号：CN202110130686.6
申请日：2021-01-29
Applicant: 泰州中来光电科技有限公司
IPC: H01L31/18 , H01L31/068
Abstract: 本发明属于太阳电池技术领域，涉及一种太阳电池的选择性掺杂结构的制备方法，包含如下步骤：步骤一，对硅片的表面进行预处理，在预处理后的所述硅片的表面沉积含掺杂源的poly层；步骤二，在所述poly层的表面的局部进行激光处理，以形成重掺杂区域；步骤三，对所述硅片进行退火，以使所述poly层的表面的未激光处理区域形成轻掺杂区域，并在退火处理过程中通入含O2的气体，以将所述poly层氧化为BSG/PSG层；步骤四，清洗所述硅片，以去除所述BSG/PSG层，得到太阳电池的选择性掺杂结构。该制备方法能精准控制选择性掺杂结构的轻掺杂区域和重掺杂区域的掺杂量，并能简化制备工序和结构，提高制备效率。
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公开(公告)号：CN114335250B
公开(公告)日：2023-03-24
申请号：CN202111661840.9
申请日：2021-12-30
Applicant: 泰州中来光电科技有限公司
IPC: H01L31/18 , H01L31/0224
Abstract: 本发明公开一种钝化接触结构的制备方法及应用方法；其制备方法包括：对硅衬底进行微结构形貌处理；制备隧穿氧化层；使用中间为空心的第一载板装载硅衬底，再采用PVD法以向上沉积方式在隧穿氧化层的表面沉积第一掺杂非晶硅层；再使用图案化镂空的第二载板装载并掩盖第一掺杂非晶硅层的局部表面，然后采用PVD法以向上沉积方式在第一掺杂非晶硅层的表面选择性沉积第二掺杂非晶硅层；再经高温处理后，在仅沉积第一掺杂非晶硅层的区域形成第一掺杂区，并在沉积第一掺杂非晶硅层和第二掺杂非晶硅层的区域形成第二掺杂区；进而制得具有选择性厚度和掺杂浓度的多晶硅的钝化接触结构，且该制备方法能使钝化接触结构的制备更方便、更精准、更高效。
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公开(公告)号：CN115274871A
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN202110486549.6
申请日：2021-04-30
Applicant: 泰州中来光电科技有限公司
IPC: H01L31/0216 , H01L31/02 , H01L31/068 , H01L31/18
Abstract: 本发明涉及一种应用于隧穿型太阳能电池的接触结构，隧穿型太阳能电池包括：硅衬底、电介质层及电极，电介质层的一面与硅衬底相接触；所述电介质层的另一面上设置所述接触结构，所述接触结构包括：多晶硅层和掺杂层；所述掺杂层与多晶硅层相互交替设置在所述电介质层上；所述掺杂层的厚度大于所述多晶硅层的厚度；所述掺杂层一端与所述电介质层相接触，另一端与所述电极相接触；其中，所述掺杂层与所述电介质层相接处的一端的掺杂浓度小于所述掺杂层与所述电极相接触的另一端的掺杂浓度。
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公开(公告)号：CN112768565A
公开(公告)日：2021-05-07
申请号：CN202110130675.8
申请日：2021-01-29
Applicant: 泰州中来光电科技有限公司
IPC: H01L31/18 , H01L31/0224 , H01L31/0216 , H01L31/068
Abstract: 一种钝化接触结构制备方法，在晶体硅上形成SiOx/AlOx/p‑poly的三层式钝化接触结构，包括：S1:对晶体硅片进行预处理；S2:在预处理后的晶体硅片表面制备AlOx薄膜；S3:在制备完AlOx薄膜的晶体硅片表面再制备非晶硅薄膜，非晶硅薄膜为本征非晶硅薄膜或掺硼非晶硅薄膜；S4:对本征非晶硅薄膜进行硼掺杂处理，本征非晶硅薄膜形成p‑poly层，借助硼掺杂处理中的退火过程，通入过量氧气，在AlOx薄膜下方的晶体硅上形成一层致密SiOx层；或对掺硼非晶硅薄膜进行退火处理，掺硼非晶硅薄膜形成p‑poly层，借助退火过程，通入过量氧气，在AlOx薄膜下方的晶体硅上形成一层致密SiOx层；S5:清洗BSG。按本发明钝化接触结构制备方法，可省去单独制备SiOx层的工序，且带负电荷AlOx薄膜的存在可增强p‑poly硅的载流子选择性，从而增强钝化效果。
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