本发明提供了一种扇入型封装结构的制备方法和扇入型封装结构，涉及半导体封装技术领域，该方法在晶圆的边缘区域开孔，并沉积导电金属形成了金属柱，再依次制备保护层、第一介质层后，电镀形成电路层，再形成第二介质层和导电凸块，其中，金属柱贯通晶圆的正面和背面，从而使得晶圆的正面和背面实现等电位。通过在晶圆的边缘区域设计金属柱，本发明能够有效解决晶圆加工过程中的静电释放问题，从而避免溅射过程中静电离子轰击导致晶圆上下侧被电离子击穿的问题，同时避免了晶圆背面出现隐裂点和晶圆表面的异常放电现象，保证了晶圆的正常作业，并且提升了晶圆的边缘强度，提升其散热性能，并保证的电镀均匀性，提升了电镀效率。