本发明涉及一种具有PN结接触的平面栅SJ IGBT器件，属于功率半导体器件技术领域。本发明通过在传统的平面栅SJ IGBT器件JFET区引入P型环区，并将该P型环区与发射极金属通过多晶硅PN结连接。导通状态下，P型环区与发射极之间由多晶硅的PN结形成势垒，低的正向导通压降不足以使该PN结正向导通，因此不会影响器件的导通状态；阻断状态下，P型环区反偏，多晶硅的PN结结构被P型环区所屏蔽，不会影响器件的阻断状态；关断过程中，随着集电极电压的上升，该PN结势垒降低并正向导通，为空穴的抽取提供了额外的通路，加快了漂移区载流子的抽取速度，提高了平面栅SJIGBT器件的开关速度，降低了器件的关断损耗。