Invention Grant
- Patent Title: 一种具有氧空位缺陷的SnTa2O6-x纳米片光催化剂制备方法
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Application No.: CN202210633359.7Application Date: 2022-06-06
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Publication No.: CN115055177BPublication Date: 2023-02-14
- Inventor: 熊卓 , 赵江婷 , 赵永椿 , 张军营
- Applicant: 华中科技大学
- Applicant Address: 湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号
- Assignee: 华中科技大学
- Current Assignee: 华中科技大学
- Current Assignee Address: 湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号
- Agency: 华中科技大学专利中心
- Agent 许恒恒
- Main IPC: B01J23/20
- IPC: B01J23/20 ; B01J37/08 ; C07C1/02 ; C07C9/04 ; C01G35/00

Abstract:
本发明属于能源催化技术领域,公开了一种具有氧空位缺陷的SnTa2O6‑x纳米片光催化剂制备方法,该方法包括以下步骤:(1)以SnCl2粉末与KTaO3粉末为原料,将它们混合后用玛瑙研钵充分研磨,然后退火;(2)将产物洗涤,得到SnTa2O6纳米片;(3)将SnTa2O6纳米片置于玛瑙研钵中,滴入萘酚溶液,充分研磨后,将产物置于基底上,干燥后即可得到负载有SnTa2O6的基底;(4)将基底夹住后伸入预混平面火焰的后火焰区退火10~150秒,由此即可得到具有氧空位缺陷的SnTa2O6‑x纳米片光催化剂。与使用高温还原及添加强还原性试剂的现有技术相比,本发明利用火焰还原具有独特的高温、超快升温速率、可调还原环境和开放大气下操作等独特优势。
Public/Granted literature
- CN115055177A 一种具有氧空位缺陷的SnTa2O6-x纳米片光催化剂制备方法 Public/Granted day:2022-09-16
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