Invention Grant
- Patent Title: 一种高熵陶瓷纳米孪晶颗粒弥散增强钨合金及其制备方法
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Application No.: CN202210603928.3Application Date: 2022-05-30
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Publication No.: CN115058628BPublication Date: 2023-09-05
- Inventor: 谢卓明 , 解雪峰 , 成祥 , 刘瑞 , 张临超 , 杨俊峰 , 方前锋 , 刘长松 , 吴学邦
- Applicant: 中国科学院合肥物质科学研究院
- Applicant Address: 安徽省合肥市蜀山区蜀山湖路350号
- Assignee: 中国科学院合肥物质科学研究院
- Current Assignee: 中国科学院合肥物质科学研究院
- Current Assignee Address: 安徽省合肥市蜀山区蜀山湖路350号
- Agency: 合肥和瑞知识产权代理事务所
- Agent 魏玉娇
- Main IPC: C22C27/04
- IPC: C22C27/04 ; C22C1/059 ; C22F1/18 ; B82Y40/00 ; B82Y30/00

Abstract:
本发明公开了一种高熵陶瓷纳米孪晶颗粒弥散增强钨合金及其制备方法,钨合金由锆、钨、氧、碳构成的Zr(W)‑O‑C高熵陶瓷纳米孪晶颗粒和钨(W)组成,按重量百分比计,Zr(W)‑O‑C含量为0.5~2.0%,W含量为98.0~99.5%。本发明通过控制原料钨粉体和制备过程的氧杂质,并引入合适量的ZrC纳米颗粒,利用ZrC与钨中的杂质氧反应,原位生成Zr(W)‑O‑C高熵陶瓷纳米孪晶颗粒,既降低杂质氧对钨的脆化作用,提升合金的低温韧性,又利用纳米Zr(W)‑O‑C颗粒钉扎晶界和位错提升合金的强度。本发明的钨合金具有优异的低温韧性和抗拉强度,在室温即展现出塑性,拉伸强度远高于目前报道的纯钨和常规的弥散强化钨合金。室温下,本发明的钨合金的抗拉强度高达1.65GPa,且延伸率>5%。
Public/Granted literature
- CN115058628A 一种高熵陶瓷纳米孪晶颗粒弥散增强钨合金及其制备方法 Public/Granted day:2022-09-16
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