本发明提供一种改善SONOS器件失效的方法，所述方法包括：提供一半导体结构，所述半导体结构包括衬底，形成于所述衬底表面的ONO层，及形成于所述ONO层表面的多晶硅栅极；于所述半导体结构表面形成侧墙介质层；利用第一刻蚀工艺刻蚀所述侧墙介质层以于所述ONO层表面形成所述多晶硅栅极的侧墙，并漏出所述侧墙下方以外区域的所述ONO层；利用第二刻蚀工艺进行刻蚀以去除所述侧墙下方以外区域的所述ONO层。通过本发明改善SONOS器件因衬底损伤及ONO层残余而导致失效的问题。