本申请涉及半导体集成电路技术领域，具体涉及一种埋层引出结构制作方法和结构。方法包括：在衬底中形成第一导电类型埋层；在衬底上形成第一外延层；在第一外延层上，通过第一光罩，以第一能量进行第一导电类型杂质注入；在第一外延层上，通过第一光罩，以第二能量进行第一导电类型杂质注入，形成第一导电类型杂质注入区；第一能量高于第二能量；进行快速热退火过程；在第一外延层上形成第二外延层；进行热推阱工艺，形成位于第一外延层中的第一导电类型阱区A部和位于第二外延层中的第一导电类型阱区B部；在第二外延层上进行第一导电类型杂质注入形成第一导电类型引出区，第一导电类型引出区向下与第一导电类型阱区B部接触连接。