- 专利标题: 金属氧化物TFT及制造方法、x射线探测器和显示面板
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申请号: CN202110276323.3申请日: 2021-03-15
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公开(公告)号: CN115084275B公开(公告)日: 2024-09-27
- 发明人: 胡合合 , 刘凤娟 , 袁广才 , 贺家煜 , 宁策 , 李正亮 , 赵坤
- 申请人: 京东方科技集团股份有限公司
- 申请人地址: 北京市朝阳区酒仙桥路10号
- 专利权人: 京东方科技集团股份有限公司
- 当前专利权人: 京东方科技集团股份有限公司
- 当前专利权人地址: 北京市朝阳区酒仙桥路10号
- 代理机构: 北京三高永信知识产权代理有限责任公司
- 代理商 杨广宇
- 主分类号: H01L29/786
- IPC分类号: H01L29/786 ; H01L27/146 ; H01L27/12 ; H01L21/34
摘要:
本申请公开了一种金属氧化物TFT及制造方法、x射线探测器和显示面板,属于电子技术领域。所述方法包括:在衬底基板上形成金属氧化物半导体材质的有源层以及层叠在有源层上的包括镧系金属元素的功能层后,对有源层以及功能层进行退火处理,功能层中的镧系金属元素扩散至有源层;扩散至有源层中的镧系金属元素可以在有源层中形成陷阱态,有源层受到光照产生的光生电子,可以被该陷阱态捕获,从而改善有源层的光照稳定性。解决了相关技术中金属氧化物TFT的有源层的光稳定性较差的问题,实现了提升金属氧化物TFT中有源层的光稳定性的效果。
公开/授权文献
- CN115084275A 金属氧化物TFT及制造方法、x射线探测器和显示面板 公开/授权日:2022-09-20
IPC分类: