- 专利标题: 一种大片层可控孔洞化MXene纳米片的制备方法
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申请号: CN202210771623.3申请日: 2022-06-30
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公开(公告)号: CN115092929B公开(公告)日: 2023-10-24
- 发明人: 李琪 , 马泽林 , 徐晗雪 , 张茜
- 申请人: 陕西师范大学
- 申请人地址: 陕西省西安市长安南路199号
- 专利权人: 陕西师范大学
- 当前专利权人: 陕西师范大学
- 当前专利权人地址: 陕西省西安市长安南路199号
- 代理机构: 西安永生专利代理有限责任公司
- 代理商 高雪霞
- 主分类号: C01B32/921
- IPC分类号: C01B32/921 ; B82Y40/00 ; B82Y30/00 ; H01M4/58 ; H01M10/0525
摘要:
本发明公开了一种大片层可控孔洞化MXene纳米片的制备方法,该方法先将Ti3AlC2粉末用氢氟酸刻蚀掉其中的Al元素,得到多层MXene;然后将多层MXene在六亚甲基四胺催化氧化作用下进行水热反应,得到MXene/TiO2复合材料;最后利用过量氢氟酸处理去除TiO2,得到二维孔洞化MXene纳米片。本发明在六亚甲基四胺催化氧化作用下,MXene片层上Ti在水热反应条件下被快速氧化,且可以通过调节反应时间、反应温度控制Ti氧化程度及制备得到不同粒径大小的MXene/TiO2复合材料,并在此基础上制备得到孔径可控、孔分布均匀的二维孔洞化Mxene纳米片材料,有望进一步改善MXene做锂离子电池等储能装置电极材料性质。
公开/授权文献
- CN115092929A 一种大片层可控孔洞化MXene纳米片的制备方法 公开/授权日:2022-09-23