基于碳化钛纳米膜的硅基X射线光电探测器及其制备方法

    公开(公告)号:CN118156357B

    公开(公告)日:2024-11-01

    申请号:CN202410285887.7

    申请日:2024-03-13

    申请人: 浙江大学

    摘要: 本发明公开基于碳化钛纳米膜的硅基X射线光电探测器及其制备方法,该光电探测器包括硅衬底、自支撑碳化钛纳米膜、金属电极。通过将Ti3C2Tx纳米膜转移到硅衬底,制备X射线光电探测器。本发明利用单晶硅及Ti3C2Tx纳米膜对X射线的吸收作用,并结合硅/Ti3C2Tx肖特基结所形成的内建电场及外加低电场对辐射产生的光生电子空穴对进行分离,同时硅/Ti3C2Tx肖特基结在X射线辐照下能够激发Ti3C2Tx纳米膜内产生极化子,而大量的极化子能辅助热电子跃迁肖特基势垒,最终得到具有高灵敏度、极低暗电流、高运行稳定性的X射线光电探测器。

    一种单层分散MXene胶体及制备方法和用途

    公开(公告)号:CN118790994A

    公开(公告)日:2024-10-18

    申请号:CN202410871938.4

    申请日:2024-07-01

    摘要: 本发明涉及柔性电子功能材料、红外与电磁波隐身材料技术领域,具体涉及一种单层分散MXene胶体及制备方法和用途。本发明的方法首先通过混合酸作为刻蚀剂,混合酸溶液H+和F‑的摩尔比为1.4:1;对MXene前驱体Ti3AlC2‑MAX进行刻蚀,将Al除去得单层分散的MXene纳米片;然后加入TBAOH插层剂,再通过锂盐置换TBAOH插层剂的方法,减少季铵盐插层剂残留导致的MXene氧化水解的问题。本发明制备的高浓度单层分散MXene胶体在导电、催化和电磁、红外隐身方面的性能指标均优于现有的刻蚀方法制备的多层风琴状MXene粉块,同时拥有良好的自成膜性。

    黑磷/MXene复合材料和包含其的气体传感器

    公开(公告)号:CN118744989A

    公开(公告)日:2024-10-08

    申请号:CN202410738736.2

    申请日:2024-06-07

    申请人: 清华大学

    发明人: 卢元 胡佳旺

    摘要: 本申请涉及气体传感器技术领域,具体涉及一种黑磷/MXene复合材料、包含其的气体传感器和气体检测装置、以及气体分析方法。该复合材料包含黑磷和MXene材料,其中所述MXene材料为少层Ti3C2Tx。本申请提供的黑磷/MXene复合材料在光照下对不同气体的响应程度呈现出差异性提升,同时能够保持高水平的灵敏度,实现了一种具有高灵敏度、高选择性和高稳定性的新型传感材料。

    前驱体晶格嵌入式掺杂二维材料的化合物薄膜制备方法

    公开(公告)号:CN118737722A

    公开(公告)日:2024-10-01

    申请号:CN202410678842.6

    申请日:2024-05-29

    摘要: 本发明涉及一种前驱体晶格嵌入式掺杂二维材料的化合物薄膜制备方法,属于柔性电子领域。本发明公开的一种晶格嵌入式掺杂二维材料的单步卷对卷的制造技术,以制备具有较大的比面积容量和超高的能量密度微型超级电容器。通激光直写技术,诱导碳前驱体改性成石墨烯材料的同时实现分层二维MXene在亚晶格尺度上掺杂进石墨烯晶格中,实现化学和物理性质的混合掺杂,使得材料电学性能的显著提高,并成功制造具有超高能量密度的微型超级电容器。