Invention Grant
- Patent Title: 一种基于1D3V统计理论建模的微放电阈值预测方法及系统
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Application No.: CN202210778198.0Application Date: 2022-06-29
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Publication No.: CN115099074BPublication Date: 2024-05-24
- Inventor: 林舒 , 屈皓 , 钟环 , 翟永贵 , 李永东 , 王洪广 , 翁明
- Applicant: 西安交通大学
- Applicant Address: 陕西省西安市咸宁西路28号
- Assignee: 西安交通大学
- Current Assignee: 西安交通大学
- Current Assignee Address: 陕西省西安市咸宁西路28号
- Agency: 西安通大专利代理有限责任公司
- Agent 高博
- Main IPC: G06F30/22
- IPC: G06F30/22 ; G06F17/18 ; G06F111/10
Abstract:
本发明公开了一种基于1D3V统计理论建模的微放电阈值预测方法及系统，将微放电过程中电子的运动速度从一维拓展到三维，通过优化后的数值建模减少电子轨迹计算量，根据材料的SEY参数模型快速求解对应有效二次电子倍增率，考虑了电子运动的角动量对微放电过程的影响。实际工程中，特别是对于同轴结构，器件内的弯曲表面会增强电子角动量对微放电建立的影响。
Public/Granted literature
- CN115099074A 一种基于1D3V统计理论建模的微放电阈值预测方法及系统 Public/Granted day:2022-09-23
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