- 专利标题： 一种基于1D3V统计理论建模的微放电阈值预测方法及系统
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申请号： CN202210778198.0申请日： 2022-06-29
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公开(公告)号： CN115099074B公开(公告)日： 2024-05-24
- 发明人: 林舒 , 屈皓 , 钟环 , 翟永贵 , 李永东 , 王洪广 , 翁明
- 申请人： 西安交通大学
- 申请人地址： 陕西省西安市咸宁西路28号
- 专利权人： 西安交通大学
- 当前专利权人： 西安交通大学
- 当前专利权人地址： 陕西省西安市咸宁西路28号
- 代理机构： 西安通大专利代理有限责任公司
- 代理商 高博
- 主分类号： G06F30/22
- IPC分类号： G06F30/22 ; G06F17/18 ; G06F111/10
摘要：
本发明公开了一种基于1D3V统计理论建模的微放电阈值预测方法及系统，将微放电过程中电子的运动速度从一维拓展到三维，通过优化后的数值建模减少电子轨迹计算量，根据材料的SEY参数模型快速求解对应有效二次电子倍增率，考虑了电子运动的角动量对微放电过程的影响。实际工程中，特别是对于同轴结构，器件内的弯曲表面会增强电子角动量对微放电建立的影响。
公开/授权文献
- CN115099074A 一种基于1D3V统计理论建模的微放电阈值预测方法及系统 公开/授权日：2022-09-23
