本发明涉及太阳能电池技术领域，尤其涉及一种新型HBC太阳能电池的制备方法，通过对单晶硅基体进行抛光，后对单晶硅基体进行正面制绒，以及对制绒后的单晶硅基体背面蒸发沉积NiOx薄膜，对单晶硅基体背面沉积本征氢化非晶硅层，通过激光对背面的本征氢化非晶硅层和NiOx薄膜进行开槽，开出N型材料要沉积的区域，采用HF对单晶硅基体进行表面疏水处理，对单晶硅基体背面依次沉积本征氢化非晶硅层和n型氢化非晶硅层，正面依次沉积本征氢化非晶硅层和SiNx层，通过激光对背面本征氢化非晶硅层和n型氢化非晶硅层进行开槽，使NiOx层露出，背面沉积TCO层等步骤，使得制备的HBC电池成本更低、产能大，且掩膜层极易被剥离的技术问题。