公开(公告)号：CN115101632B

公开(公告)日：2023-06-23

申请号：CN202210839368.1

申请日：2022-07-18

申请人： 扬州大学

发明人： 丁建宁 ,  杨建超 ,  李绿洲 ,  李云朋 ,  马志杰 ,  董旭

IPC分类号： H01L31/20 ,  H01L31/0747

摘要： 本发明涉及太阳能电池技术领域，尤其涉及一种新型HBC太阳能电池的制备方法，通过对单晶硅基体进行抛光，后对单晶硅基体进行正面制绒，以及对制绒后的单晶硅基体背面蒸发沉积NiOx薄膜，对单晶硅基体背面沉积本征氢化非晶硅层，通过激光对背面的本征氢化非晶硅层和NiOx薄膜进行开槽，开出N型材料要沉积的区域，采用HF对单晶硅基体进行表面疏水处理，对单晶硅基体背面依次沉积本征氢化非晶硅层和n型氢化非晶硅层，正面依次沉积本征氢化非晶硅层和SiNx层，通过激光对背面本征氢化非晶硅层和n型氢化非晶硅层进行开槽，使NiOx层露出，背面沉积TCO层等步骤，使得制备的HBC电池成本更低、产能大，且掩膜层极易被剥离的技术问题。

公开(公告)号：CN115312624A

公开(公告)日：2022-11-08

申请号：CN202210958373.4

申请日：2022-08-09

申请人： 扬州大学

发明人： 丁建宁 ,  马志杰 ,  李绿洲 ,  李云朋 ,  杨建超 ,  董旭

IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L31/0216

摘要： 本发明涉及太阳能电池技术领域，尤其涉及一种背接触太阳能电池的制备方法，本发明中电池结构采用背接触钝化结构，正面无金属区遮光且拥有更少的复合损失。过程中通过制备无掺杂MoOx作为P型区域且和TCO在制作过程中通过掩膜板阻挡，避免其他区域受到影响，从而达到局部沉积目的，省去了专门做掩膜层和清洗过程，全过程仅使用一次激光工艺且无需专门修复，减少了修复激光损伤带来的复杂过程，另外经过碱抛光，不仅实现将P型区域基底保持成抛光面，同时去除激光损伤。从而进一步缩短工艺路线，减少工艺步骤，提升背接触太阳能电池加工效率，并且湿法环节没有用到HNO3，具有一定的环保性，该结构相对简单，可实施性较强。

公开(公告)号：CN115101632A

公开(公告)日：2022-09-23

申请号：CN202210839368.1

申请日：2022-07-18

申请人： 扬州大学

发明人： 丁建宁 ,  杨建超 ,  李绿洲 ,  李云朋 ,  马志杰 ,  董旭

IPC分类号： H01L31/20 ,  H01L31/0747

摘要： 本发明涉及太阳能电池技术领域，尤其涉及一种新型HBC太阳能电池的制备方法，通过对单晶硅基体进行抛光，后对单晶硅基体进行正面制绒，以及对制绒后的单晶硅基体背面蒸发沉积NiOx薄膜，对单晶硅基体背面沉积本征氢化非晶硅层，通过激光对背面的本征氢化非晶硅层和NiOx薄膜进行开槽，开出N型材料要沉积的区域，采用HF对单晶硅基体进行表面疏水处理，对单晶硅基体背面依次沉积本征氢化非晶硅层和n型氢化非晶硅层，正面依次沉积本征氢化非晶硅层和SiNx层，通过激光对背面本征氢化非晶硅层和n型氢化非晶硅层进行开槽，使NiOx层露出，背面沉积TCO层等步骤，使得制备的HBC电池成本更低、产能大，且掩膜层极易被剥离的技术问题。