发明公开
- 专利标题: 一种低硫四氧化三钴的制备方法
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申请号: CN202210762739.0申请日: 2022-08-31
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公开(公告)号: CN115108591A公开(公告)日: 2022-09-27
- 发明人: 陈晓闯 , 焦永胜 , 张生海 , 任小蕊
- 申请人: 金川集团股份有限公司 , 兰州金川新材料科技股份有限公司
- 申请人地址: 甘肃省金昌市金川路98号;
- 专利权人: 金川集团股份有限公司,兰州金川新材料科技股份有限公司
- 当前专利权人: 金川集团镍钴有限公司,兰州金川新材料科技股份有限公司
- 当前专利权人地址: 737104 甘肃省金昌市金川区北京路街道兰州路2号
- 代理机构: 甘肃省知识产权事务中心代理有限公司
- 代理商 王娜
- 主分类号: C01G51/04
- IPC分类号: C01G51/04
摘要:
本发明属于锂离子电池技术领域,公开了一种低硫四氧化三钴的制备方法,以解决现有技术不能将硫含量降低至0.02%以下的问题,该方法通过二次煅烧洗涤,通过先合成出一次粒子粗大的Co(OH)2,然后将Co(OH)2浆料固液分离,低温煅烧成CoO,改变颗粒晶体结构,从而改变SO42‑在晶体中的结合方式,通过水洗,能够非常容易的将产品中的硫含量降低至≤0.05%,然后通过高温煅烧,使CoO变成Co3O4,二次改变产品晶体结构,再通过水洗,使产品中硫含量降低至≤0.02%。本发明采用高温低pH的合成工艺合成Co(OH)2,氢氧化钴一次粒子粗大,且结晶致密,阻止钠离子进入晶体内部,最终得到钠含量≤0.002%的四氧化三钴产品。
公开/授权文献
- CN115108591B 一种低硫四氧化三钴的制备方法 公开/授权日:2024-05-03
IPC分类: