Invention Publication
- Patent Title: 模拟开关操作的调控电容放电电流的控制装置及方法
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Application No.: CN202210615654.XApplication Date: 2022-05-31
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Publication No.: CN115133765APublication Date: 2022-09-30
- Inventor: 胡媛媛 , 张杰 , 成林 , 卢江平 , 李文波 , 廖敏夫 , 刘健 , 蒲路 , 刘波 , 段雄英 , 符一凡 , 章敏俊
- Applicant: 国网电力科学研究院武汉南瑞有限责任公司 , 国网陕西省电力有限公司电力科学研究院 , 大连理工大学 , 国网电力科学研究院有限公司
- Applicant Address: 湖北省武汉市洪山区珞瑜路143号; ; ;
- Assignee: 国网电力科学研究院武汉南瑞有限责任公司,国网陕西省电力有限公司电力科学研究院,大连理工大学,国网电力科学研究院有限公司
- Current Assignee: 国网电力科学研究院武汉南瑞有限责任公司,国网陕西省电力有限公司电力科学研究院 国网电力科学研究院有限公司
- Current Assignee Address: 430206 湖北省武汉市东湖高新技术开发区科技三路8号
- Agency: 武汉开元知识产权代理有限公司
- Agent 李满; 潘杰
- Main IPC: H02M3/07
- IPC: H02M3/07

Abstract:
本发明公开了一种模拟开关操作的调控电容放电电流的控制装置,它的调控单元用于采集电容组C两端的电压,当电容组C两端的电压低于参考电压时,调控单元控制场效应管MOSFET1导通,同时场效应管MOSFET2关断,此时,直流电源DC向电容组C充电;当电容组C两端的电压高于参考电压时,调控单元控制场效应管MOSFET1关断,同时场效应管MOSFET2导通,电容组C与放电电阻R2、场效应管MOSFET2构成放电回路,本发明通过对电容组电压的采集分析,与预设的数值相对比,可以有针对性的调节电容组电压,使电容组得到更精确的电压值,避免欠压或者过压,使得调控效果更明显。
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