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公开(公告)号：CN115133765A
公开(公告)日：2022-09-30
申请号：CN202210615654.X
申请日：2022-05-31
申请人： 国网电力科学研究院武汉南瑞有限责任公司 , 国网陕西省电力有限公司电力科学研究院 , 大连理工大学 , 国网电力科学研究院有限公司
IPC分类号： H02M3/07
摘要： 本发明公开了一种模拟开关操作的调控电容放电电流的控制装置，它的调控单元用于采集电容组C两端的电压，当电容组C两端的电压低于参考电压时，调控单元控制场效应管MOSFET1导通，同时场效应管MOSFET2关断，此时，直流电源DC向电容组C充电；当电容组C两端的电压高于参考电压时，调控单元控制场效应管MOSFET1关断，同时场效应管MOSFET2导通，电容组C与放电电阻R2、场效应管MOSFET2构成放电回路，本发明通过对电容组电压的采集分析，与预设的数值相对比，可以有针对性的调节电容组电压，使电容组得到更精确的电压值，避免欠压或者过压，使得调控效果更明显。
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公开(公告)号：CN112345928B
公开(公告)日：2021-09-24
申请号：CN202011106319.4
申请日：2020-10-16
申请人： 大连理工大学
IPC分类号： G01R31/327 , G01R19/00
摘要： 本发明属于弧后电流测量技术领域，涉及一种基于隧道磁阻元件的弧后电流测量方法。本发明采用TMR元件测量弧后电流，响应速度达到μs级、灵敏度达到mV/Oe，适合高频微电流的检测。且TMR元件提供差分电压输出，可消除温度对电流测量的影响。本发明实现了非接触式测量，提高了测量的安全性。且将待测的电流量转化为磁场量测量，不改变断路器装置原有结构。
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公开(公告)号：CN111952114B
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202010645812.7
申请日：2020-07-07
申请人： 大连理工大学
IPC分类号： H01H33/666
摘要： 本发明属于真空开关均压领域，涉及一种用于双断口真空开关均压的三阶段速度控制方法。本发明通过控制真空开关操动机构的分闸速度，按照三阶段速度调控方法，改变了电弧电流上升阶段与熄弧阶段电弧的形态，进而影响弧后介质强度恢复过程，起到了均衡双断口真空开关恢复电压的作用，减小了真空开关均压电容的使用，延长了操动机构的使用寿命。
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公开(公告)号：CN111952114A
公开(公告)日：2020-11-17
申请号：CN202010645812.7
申请日：2020-07-07
申请人： 大连理工大学
IPC分类号： H01H33/666
摘要： 本发明属于真空开关均压领域，涉及一种用于双断口真空开关均压的三阶段速度控制方法。本发明通过控制真空开关操动机构的分闸速度，按照三阶段速度调控方法，改变了电弧电流上升阶段与熄弧阶段电弧的形态，进而影响弧后介质强度恢复过程，起到了均衡双断口真空开关恢复电压的作用，减小了真空开关均压电容的使用，延长了操动机构的使用寿命。
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公开(公告)号：CN112345928A
公开(公告)日：2021-02-09
申请号：CN202011106319.4
申请日：2020-10-16
申请人： 大连理工大学
IPC分类号： G01R31/327 , G01R19/00
摘要： 本发明属于弧后电流测量技术领域，涉及一种基于隧道磁阻元件的弧后电流测量方法。本发明采用TMR元件测量弧后电流，响应速度达到μs级、灵敏度达到mV/Oe，适合高频微电流的检测。且TMR元件提供差分电压输出，可消除温度对电流测量的影响。本发明实现了非接触式测量，提高了测量的安全性。且将待测的电流量转化为磁场量测量，不改变断路器装置原有结构。
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