本发明涉及太阳能电池技术领域，具体公开一种双面topcon电池的制备方法。所述制备方法包括以下步骤：对N型硅片进行双面制绒；对所述制绒后硅片进行背面抛光；在所述抛光后硅片的正面粘结镂空掩膜板，得预处理硅片；在所述预处理硅片的正背面分别形成双面设有钝化结构的第一硅片；去除所述第一硅片正面的镂空掩膜板；在所述硅片的正面进行硼扩散；在所述硅片的背面进行磷扩散；将所述硅片进行退火处理；在所述硅片的正面沉积氧化铝层，然后在正背面分别沉积减反射膜后印刷栅线电极，烧结，得所述双面topcon电池。本申请采用粘结方式将镂空掩膜板贴合于硅片正面，能够实现一次性完成隧穿钝化层在硅片正背面的沉积。