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公开(公告)号：CN115020507B
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN202210680656.7
申请日：2022-06-15
申请人： 英利能源发展有限公司
IPC分类号： H01L31/0216 , H01L31/0224 , H01L31/18
摘要： 本发明涉及太阳能电池技术领域，具体公开一种选择性钝化接触电池及其制备方法。所述电池包括N型硅片，所述N型硅片的正表面上设有硼发射极，在所述硼发射极上设有金属栅线区和非栅线区，在所述正表面的栅线区域内由下往上依次为氧化硅/硼掺杂多晶硅叠层和正电极；在所述正表面的非栅线区域内由下往上依次为氧化铝层和第二氮化硅层；在所述N型硅片的背表面上设有氧化硅/磷掺杂多晶硅叠层，在所述氧化硅/磷掺杂多晶硅叠层上设有金属栅线区和非栅线区，在所述背表面的栅线区域内为背电极，非栅线区域内为第一氮化硅层。本发明提供的选择性钝化接触电池，其正表面仅栅线区域下存在钝化接触结构，背表面整面预设钝化接触结构，显著降低吸光效应。
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公开(公告)号：CN115602755A
公开(公告)日：2023-01-13
申请号：CN202211103995.5
申请日：2022-09-09
申请人： 英利能源发展有限公司(CN)
IPC分类号： H01L31/18 , H01L21/306 , H01L31/0236 , C30B29/06
摘要： 本发明具体公开一种晶体硅片的制绒方法。所述挖孔工序包括：将沉银后的硅片置于挖孔处理液中，浸泡30s‑50s后，开启超声波进行间歇超声挖孔处理，得到挖孔的硅片；其中，所述挖孔处理液包括：氢氟酸10％‑20％，双氧水20％‑30％，可溶性硅酸盐0.5％‑2％，余量为去离子水。本发明提供的晶体硅片的制绒方法，通过采用特定的间歇超声配合向挖孔液中加入特定含量的硅酸盐的方法，使得硅片表面附着的气泡及时脱离，从而在硅片表面形成更加均匀的孔洞，从而使得硅片具有适中的反射率，进而可有效提高电池的转换效率。
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公开(公告)号：CN114823992B
公开(公告)日：2022-12-27
申请号：CN202210744789.6
申请日：2022-06-29
申请人： 英利能源发展有限公司
发明人： 王子谦 , 孟庆超 , 翟金叶 , 张伟 , 郎芳 , 徐卓 , 王红芳 , 马红娜 , 赵学玲 , 潘明翠 , 王平 , 张文辉 , 吝占胜 , 张雷 , 吴萌萌 , 王钰蕾 , 张任远 , 张莉沫 , 李英叶 , 张丽娜 , 李锋 , 史金超
IPC分类号： H01L31/20 , H01L31/0747 , H01L31/0288
摘要： 本发明提供了一种太阳能电池的制备方法及太阳能电池，属于蓄电池技术领域，该方法包括：在N型硅片的背光面制备第一隧穿氧化硅层及硼原位掺杂非晶硅层，通过激光刻蚀去除多余的第一隧穿氧化硅层、硼原位掺杂非晶硅层和掺硼氧化硅层，从而在N型硅片的背光面形成多个间隔设置的掺硼非晶硅层；在相邻的掺硼非晶硅层之间制备掺磷非晶硅层，在掺硼非晶硅层和掺磷非晶硅层之间形成硼磷共掺杂层；通过化学清洗的方式，在N型硅片的背光面形成呈梳状交叉分布的磷掺杂区和硼掺杂区，磷掺杂区和硼掺杂区之间形成绝缘区。本发明提供的一种太阳能电池的制备方法及太阳能电池，大大简化了背接触电池背场和背发射极制备工艺步骤，降低电池成本。
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公开(公告)号：CN115207167B
公开(公告)日：2022-11-22
申请号：CN202211125312.6
申请日：2022-09-16
申请人： 英利能源发展有限公司 , 英利能源发展(天津)有限公司 , 英利能源(中国)有限公司
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/042 , H01L21/306 , H01L21/02
摘要： 本发明涉及太阳能电池技术领域，具体公开一种硅抛光面的清洗方法。所述清洗方法包括以下步骤：依次采用混合酸液和纯水分别对硅片进行清洗，得一级处理片，其中，所述混合酸液为包括磷酸、氟硼酸和硝酸的水溶液；依次采用碱性混合液和纯水分别对所述一级处理片进行清洗，得二级处理片，其中，所述碱性混合液为包括强碱和乙醇的水溶液；依次采用氧化液和纯水分别对所述二级处理片进行清洗，烘干，得抛光硅片，其中所述氧化液为包括氢氟酸和双氧水的水溶液。本发明提供的清洗方法能有效去除抛光工序残留的微小颗粒，降低表面粗糙度，改善表面形态；还能去除表面残留的有机物及金属离子，有利于后续钝化工艺，能够提升光电转换效率。
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公开(公告)号：CN115148852B
公开(公告)日：2024-01-26
申请号：CN202210778644.8
申请日：2022-06-30
申请人： 英利能源发展有限公司
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/0216 , H01L31/0224
摘要： 本发明涉及太阳能电池技术领域，具体公开一种双面topcon电池的制备方法。所述制备方法包括以下步骤：对N型硅片进行双面制绒；对所述制绒后硅片进行背面抛光；在所述抛光后硅片的正面粘结镂空掩膜板，得预处理硅片；在所述预处理硅片的正背面分别形成双面设有钝化结构的第一硅片；去除所述第一硅片正面的镂空掩膜板；在所述硅片的正面进行硼扩散；在所述硅片的背面进行磷扩散；将所述硅片进行退火处理；在所述硅片的正面沉积氧化铝层，然后在正背面分别沉积减反射膜后印刷栅线电极，烧结，得所述双面topcon电池。本申请采用粘结方式将镂空掩膜板贴合于硅片正面，能够实现一次性完成隧穿钝化层在硅片正背面的沉积。
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公开(公告)号：CN115621139A
公开(公告)日：2023-01-17
申请号：CN202211413561.5
申请日：2022-11-11
申请人： 英利能源发展有限公司 , 英利能源(中国)有限公司
摘要： 本发明提供了一种晶硅太阳能电池制备过程中防绕扩的方法，属于光伏技术领域，包括以下步骤：S1、在硅片背面边缘位置喷涂粘附剂硅凝胶，并将任意两个硅片背相粘附；S2、对粘附后的硅片放入待处理工艺装置中进行工艺处理；S3、通过氟离子酸性溶液去除工艺处理后的硅片上的粘附剂硅凝胶。本发明提供的晶硅太阳能电池制备过程中防绕扩的方法，可防止绕扩(绕镀)产生，减少了因为去除绕扩(绕镀)的工艺步骤，减少了设备、材料和人工等，节约了成本；同时也减少了因为绕扩绕镀带来的硅片寿命降低、表面色差、漏电等问题，制备的电池效率文档，提高了成品率。
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公开(公告)号：CN115274928A
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN202210923601.4
申请日：2022-08-02
申请人： 英利能源发展有限公司 , 英利能源发展(天津)有限公司
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/068 , H01L31/0352
摘要： 本发明提供了一种MWT太阳能电池的制备方法，属于光伏电池的制备技术领域，包括在n型基底正面的制绒面上进行磷掺杂形成一层n+掺杂层；在n型基底背面进行硼掺杂形成一层p+掺杂层；利用激光在完成掺杂后的硅片上设置贯穿孔；利用激光在贯穿孔周围刻划形成一个去除p+掺杂层的闭合环形槽；采用化学清洗去除制备过程中的损伤层并进行钝化处理；将完成减反钝化层制备后的硅片上进行贯穿孔的金属化、背面金属化电极和正面金属化电极制备。本发明制备的电池能够解决常规n型MWT电池正面栅线导引至背面过程中pn结导通漏电，并随着时间延长和测试次数增加，漏电逐渐增大，最终电池衰减速度快，使用寿命短的问题。
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公开(公告)号：CN115020507A
公开(公告)日：2022-09-06
申请号：CN202210680656.7
申请日：2022-06-15
申请人： 英利能源发展有限公司
IPC分类号： H01L31/0216 , H01L31/0224 , H01L31/18
摘要： 本发明涉及太阳能电池技术领域，具体公开一种选择性钝化接触电池及其制备方法。所述电池包括N型硅片，所述N型硅片的正表面上设有硼发射极，在所述硼发射极上设有金属栅线区和非栅线区，在所述正表面的栅线区域内由下往上依次为氧化硅/硼掺杂多晶硅叠层和正电极；在所述正表面的非栅线区域内由下往上依次为氧化铝层和第二氮化硅层；在所述N型硅片的背表面上设有氧化硅/磷掺杂多晶硅叠层，在所述氧化硅/磷掺杂多晶硅叠层上设有金属栅线区和非栅线区，在所述背表面的栅线区域内为背电极，非栅线区域内为第一氮化硅层。本发明提供的选择性钝化接触电池，其正表面仅栅线区域下存在钝化接触结构，背表面整面预设钝化接触结构，显著降低吸光效应。
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公开(公告)号：CN114823991A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202210737855.7
申请日：2022-06-28
申请人： 英利能源发展有限公司
发明人： 王子谦 , 孟庆超 , 翟金叶 , 张伟 , 郎芳 , 徐卓 , 王红芳 , 马红娜 , 赵学玲 , 潘明翠 , 王平 , 张文辉 , 吝占胜 , 张雷 , 吴萌萌 , 王钰蕾 , 张任远 , 张莉沫 , 李英叶 , 张丽娜 , 李锋 , 史金超
IPC分类号： H01L31/20 , H01L31/0747
摘要： 本发明提供了一种背接触电池的制备方法及背接触电池，属于蓄电池技术领域，该方法包括：在N型硅片的背光面制备第一隧穿氧化硅层、硼原位掺杂非晶硅层和硼硅玻璃层，通过激光刻蚀去除多余的第一隧穿氧化硅层、硼原位掺杂非晶硅层和掺硼硅玻璃层，从而在N型硅片的背光面形成多个间隔设置的掺硼非晶硅层；在相邻的掺硼非晶硅层之间制备掺磷非晶硅层，在掺硼非晶硅层和掺磷非晶硅层之间形成硼磷共掺杂层；通过化学清洗的方式，在N型硅片的背光面形成呈梳状交叉分布的磷掺杂区和硼掺杂区，磷掺杂区和硼掺杂区之间形成绝缘区。本发明提供的一种背接触电池的制备方法及背接触电池，大大简化了背接触电池背场和背发射极制备工艺步骤，降低电池成本。
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公开(公告)号：CN114975647B
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN202210621074.1
申请日：2022-06-02
申请人： 英利能源发展有限公司
IPC分类号： H01L31/0224 , H01L31/05 , H01L31/18
摘要： 本发明涉及太阳能电池技术领域，具体公开一种N型背接触太阳能电池及其制备方法。所述太阳能电池包括若干个并联的电池组，每个电池组包括若干个在水平方向串联的电池单元，所述电池单元包括第一硅片和第二硅片，每个硅片背光面上设有的N型区和P型区形成平面螺旋且镶嵌的图形，且所述第二硅片的图形是第一硅片的图形沿水平方向镜像得到。本发明利用氧化硅掩膜及去除掩膜，配合单面硼扩散、单面磷扩散工艺，能够在硅片的背光面上形成平面螺旋且镶嵌的N型区和P型区图形，并形成若干相邻的具有特定图形的独立电池单元，相邻电池单元之间可以通过组件焊接工艺进行串并联连接，从而实现不同的电池参数需求。
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