- 专利标题: 一种在多孔陶瓷孔隙表面制备氮化硼纳米材料的方法
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申请号: CN202210926034.8申请日: 2022-08-03
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公开(公告)号: CN115160023B公开(公告)日: 2022-12-27
- 发明人: 李艳娇 , 郭剑锋 , 吕秋娟 , 杜海霞 , 王学仁
- 申请人: 中国人民解放军火箭军工程大学
- 申请人地址: 陕西省西安市灞桥区洪庆街道同心路2号
- 专利权人: 中国人民解放军火箭军工程大学
- 当前专利权人: 中国人民解放军火箭军工程大学
- 当前专利权人地址: 陕西省西安市灞桥区洪庆街道同心路2号
- 代理机构: 西安创知专利事务所
- 代理商 马小燕
- 主分类号: C04B41/87
- IPC分类号: C04B41/87
摘要:
本发明公开了一种在多孔陶瓷孔隙表面制备氮化硼纳米材料的方法,该方法包括:一、将硼源原料粉末与金属粉混合球磨得到硼源前驱体粉末;二、在多孔氧化铝陶瓷孔隙表面制备金属涂层;三、高温退火在沉积金属涂层的多孔陶瓷的孔隙表面制备氮化硼纳米材料。本发明在多孔陶瓷孔隙表面生长氮化硼纳米材料,使得多孔陶瓷基体的比表面积显著增加,并具有良好的超疏水性能,同时保持了陶瓷材料耐高温、耐腐蚀的性能特点,使得该材料在高温腐蚀性环境下也可作为烟气吸附过滤、污水处理、油水分离、催化剂载体及药物载体使用,且本发明所采用的原料为氧化硼粉末、金属粉末、氨气等,廉价易得,无毒无害,制备工艺简单,反应条件温和,适合大规模工业化生产。
公开/授权文献
- CN115160023A 一种在多孔陶瓷孔隙表面制备氮化硼纳米材料的方法 公开/授权日:2022-10-11