一种磷化铟合成与VGF晶体制备的装置及方法，涉及化合物半导体的制备，首先将铟元素置于坩埚中，将磷元素置于辅助坩埚区域中心，然后加热并施加离心力，在离心力作用下，铟熔体围绕主坩埚区域形成筒状，铟元素与磷元素处于表面接触的分离状态。通过多温区加热，将铟与磷加热至不同的温度，易挥发元素磷升华后与金属元素铟化合。合成完毕后降低坩埚转速，合成熔体处于水平状态，置入氧化硼实现晶体生长。使用本发明提出的装置和方法，磷元素的注入装置没有加热器，简化了合成设备；合成期间，铟溶体与磷气体的接触面积大，合成速度快；化合物生成前所有材料装料完成，外界沾污减少；实现晶体在原位生长，提高效率。