本发明提供了一种基于QFN外形的氮化镓半导体器件，包括框架，其包括基岛和两个管脚，所述基岛上固设有一个耗尽型氮化镓MOSFET和一个增强型硅基MOSFET，且所述耗尽型氮化镓MOSFET的G极和增强型硅基MOSFET的S极电连接，所述增强型硅基MOSFET的G极与框架的其中一个管脚电连接，所述耗尽型氮化镓MOSFET的D极与框架的另一个管脚电连接，所述耗尽型氮化镓MOSFET的S极与增强型硅基MOSFET的D极连接。本发明采用增强型硅基MOSFET控制耗尽型氮化镓MOSFET的开闭，从而使得氮化镓适用范围更广，提高电路导通后的整体电流。