公开(公告)号：CN115223961B

公开(公告)日：2022-12-02

申请号：CN202211133712.1

申请日：2022-09-19

申请人： 中科华艺(天津)科技有限公司

发明人： 姜旭波 ,  杨晓俊 ,  尹飞

IPC分类号： H01L23/31 ,  H01L23/495 ,  H01L25/07

摘要： 本发明提供了一种基于QFN外形的氮化镓半导体器件，包括框架，其包括基岛和两个管脚，所述基岛上固设有一个耗尽型氮化镓MOSFET和一个增强型硅基MOSFET，且所述耗尽型氮化镓MOSFET的G极和增强型硅基MOSFET的S极电连接，所述增强型硅基MOSFET的G极与框架的其中一个管脚电连接，所述耗尽型氮化镓MOSFET的D极与框架的另一个管脚电连接，所述耗尽型氮化镓MOSFET的S极与增强型硅基MOSFET的D极连接。本发明采用增强型硅基MOSFET控制耗尽型氮化镓MOSFET的开闭，从而使得氮化镓适用范围更广，提高电路导通后的整体电流。

公开(公告)号：CN115223961A

公开(公告)日：2022-10-21

申请号：CN202211133712.1

申请日：2022-09-19

申请人： 中科华艺(天津)科技有限公司

发明人： 姜旭波 ,  杨晓俊 ,  尹飞

IPC分类号： H01L23/31 ,  H01L23/495 ,  H01L25/07

摘要： 本发明提供了一种基于QFN外形的氮化镓半导体器件，包括框架，其包括基岛和两个管脚，所述基岛上固设有一个耗尽型氮化镓MOSFET和一个增强型硅基MOSFET，且所述耗尽型氮化镓MOSFET的G极和增强型硅基MOSFET的S极电连接，所述增强型硅基MOSFET的G极与框架的其中一个管脚电连接，所述耗尽型氮化镓MOSFET的D极与框架的另一个管脚电连接，所述耗尽型氮化镓MOSFET的S极与增强型硅基MOSFET的D极连接。本发明采用增强型硅基MOSFET控制耗尽型氮化镓MOSFET的开闭，从而使得氮化镓适用范围更广，提高电路导通后的整体电流。

公开(公告)号：CN217822788U

公开(公告)日：2022-11-15

申请号：CN202222083335.7

申请日：2022-08-09

申请人： 中科华艺(天津)科技有限公司

发明人： 姜旭波 ,  杨晓俊 ,  尹飞

IPC分类号： H01L23/495 ,  H01L23/367

摘要： 本实用新型提供了一种基于QFN外形的GaN半导体封装框架，包括框架本体，其内置有基料，基料被分隔为多个芯片搭载模块，每个芯片搭载模块包括基岛和置于基岛一侧的栅极管脚和漏极管脚，且所述基岛、栅极管脚和漏极管脚之间留有间隙，每相邻的两个芯片搭载框架之间设有连接条，所述栅极管脚和漏极管脚分别通过自身外侧的第二连接头与连接条连接形成一整体，所述基岛两侧分别通过自身两侧的第一连接头与连接条连接成为一整体。本实用新型采用连接条将加工后的基料形成的基岛和管脚连接形成一整体，防止芯片搭载模块散落，以便于mosfet与基岛和管脚之间实现电连接以及利用环氧树脂进行封装。

公开(公告)号：CN307670828S

公开(公告)日：2022-11-18

申请号：CN202230516023.3

申请日：2022-08-09

申请人： 中科华艺(天津)科技有限公司

设计人： 姜旭波 ,  杨晓俊 ,  尹飞

摘要： 1.本外观设计产品的名称：集成电路封装体（QFN外形GaN半导体）。
2.本外观设计产品的用途：用于MOS管封装。
3.本外观设计产品的设计要点：在于形状与图案的结合。
4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图。