- 专利标题： 硅空位色心发光强度可调控的微晶金刚石晶粒的制备方法
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申请号： CN202210720391.9申请日： 2022-06-23
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公开(公告)号： CN115232615B公开(公告)日： 2024-01-23
- 发明人: 张金风 , 李俊鹏 , 任泽阳 , 张进成 , 苏凯 , 王晗雪 , 郝跃
- 申请人： 西安电子科技大学 , 西安电子科技大学芜湖研究院
- 申请人地址： 陕西省西安市太白南路2号
- 专利权人： 西安电子科技大学,西安电子科技大学芜湖研究院
- 当前专利权人： 西安电子科技大学,西安电子科技大学芜湖研究院
- 当前专利权人地址： 陕西省西安市太白南路2号
- 代理机构： 西安嘉思特知识产权代理事务所
- 代理商 辛菲
- 主分类号： C09K11/65
- IPC分类号： C09K11/65 ; C01B32/26 ; C01B32/28 ; B82Y20/00 ; B82Y40/00 ; C23C16/27 ; C23C16/511
摘要：
本发明公开了一种硅空位色心发光强度可调控的微晶金刚石晶粒的制备方法，包括：选取一定晶向的外延衬底；对衬底进行有机清洗；对清洗过后的衬底进行超声播种处理；对经过超声播种处理的衬底进行预处理；在衬底上生长微晶金刚石，并通过调整生长环境中氮气和氧气的比例调控晶粒取向，以形成具有特定晶向的微晶金刚石晶粒，从而实现硅空位色心发光强度的调控。本发明提供的制备方法不需要引入其他杂质气源，即可实现低成本、可控性强的金刚石中硅空位，避免了连续金刚石膜阻挡刻蚀硅的问题，(56)对比文件Yang, Bing;Yu, Biao;Li, Haining;Huang, Nan;Liu, Lusheng;Jiang,Xi.Enhanced and switchable silicon-vacancy photoluminescence in air-annealednanocrystalline diamondfilms.Carbon.2019,第156卷242-252.李俊鹏 等.多晶金刚石薄膜硅空位色心形成机理及调控.物理学报.2023,第72卷(第03期),336-343.王启亮;吕宪义;成绍恒;张晴;李红东;邹广田.高速生长CVD金刚石单晶及应用.超硬材料工程.2011,(第02期),1-5.刘学杰;乔海懋.硅掺杂金刚石薄膜形成过程的研究.内蒙古科技大学学报.2017,(第02期),126-130.吴高华;王兵;熊鹰;陶波;黄芳亮;刘学维.氧碳比对MPCVD法同质外延单晶金刚石的影响.功能材料.2013,(第14期),2065-2068+2073.
公开/授权文献
- CN115232615A 硅空位色心发光强度可调控的微晶金刚石晶粒的制备方法 公开/授权日：2022-10-25
