本发明涉及晶体制备技术领域，具体涉及一种硼11‑LBO晶体的生长方法及应用，包括以碳酸锂、硼‑11酸为原料，以三氧化钼、三氧化钨为助熔剂，将原料及助熔剂装入铂金坩埚置于晶体生长炉中，升温至第一温度化料，降温至第二温度后向熔体中下入籽晶，晶体开始生长，继续降温至晶体生长结束，将晶体提离液面降温至室温即得。本发明采用氧化钼‑氧化钨作为助熔剂，得到的熔体粘度小，便于物料流动和传质，生长制得高质量的硼11‑LBO晶体且不易开裂；本发明制得高质量硼11‑LBO晶体，可以作为中子探测用晶体材料，解决目前中子散射探测器的需求。