本申请公开了一种半导体工艺设备，属于半导体技术领域，半导体工艺设备包括工艺腔室、支撑件以及加热组件，加热组件用于加热支撑件及支撑于支撑件上的晶圆，还包括：第一温度检测件，第一温度检测件与支撑件的中心相对设置，第二温度检测件，第二温度检测件与支撑件相对设置；遮挡组件，设置于加热组件与支撑件之间，遮挡组件用于遮挡支撑件；驱动机构，驱动机构与遮挡组件连接，驱动机构用于根据第一温度检测件和第二温度检测件的检测值控制遮挡组件运动，进而调节遮挡组件对支撑件的遮挡面积。本申请能够解决通过调节加热功率来减小晶圆和支撑件之间的温差时，存在的晶圆产能及良率较低，以及温差控制效果不佳的问题。